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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Transistor MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI4425DDY-T1-GE3

Transistor MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI4425DDY-T1-GE3

Transistor MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI4425DDY-T1-GE3
Transistor MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI4425DDY-T1-GE3
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
P-canal 30 V 19.7A (comité technique) 2.5W (merci), bâti 8-SOIC de la surface 5.7W (comité technique
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Fabricant:
VISHAY
Catégorie de produit:
Transistor MOSFET
Technologie:
SI
Montage du style:
SMD/SMT
Paquet/cas:
SO-8
Nombre de canaux:
1 canal
Point culminant:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introduction

Transistor MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 de transistor de puissance du transistor MOSFET SI4425DDY-T1-GE3

CARACTÉRISTIQUES

  • sans halogène selon la définition du CEI 61249-2-21

  • Transistor MOSFET de puissance de TrenchFET®

  • 100 % Rg examiné

APPLICATIONS

•Commutateurs de charge

- PCs de carnet

- PC de bureau

RÉSUMÉ DE PRODUIT

VDS (v)

Le RDS (dessus) (Ω)

Identification (A) a

Qg (type.)

- 30

0,0098 à VGS = 10 V

- 19,7

27 OR

0,0165 à VGS = 4,5 V

- 15,2

VENTRES de CAPACITÉS ABSOLUES = °C 25, sauf indication contraire

Paramètre

Symbole

Limite

Unité

Tension de Drain-source

VDS

- 30

V

Tension de Porte-source

VGS

± 20

Courant continu de drain (TJ = °C) 150

Comité technique =25°C

Identification

- 19,7

Comité technique =70°C

- 15,7

VENTRES = °C 25

- 13b, c

VENTRES = °C 70

- 10.4b, c

Courant pulsé de drain

IDM

- 50

Courant de diode continu de Source-drain

Comité technique =25°C

EST

- 4,7

VENTRES = °C 25

- 2.1b, c

Dissipation de puissance maximum

Comité technique =25°C

Palladium

5,7

W

Comité technique =70°C

3,6

VENTRES = °C 25

2.5b, c

VENTRES = °C 70

1.6b, c

Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage

TJ, Tstg

- 55 à 150

°C

ESTIMATIONS DE RÉSISTANCE THERMIQUE

Paramètre

Symbole

Typique

Maximum

Unité

Maximum Jonction-à-Ambientb, d

≤ 10 s de t

RthJA

35

50

°C/W

Jonction-à-pied maximum (drain)

Équilibré

RthJF

18

22
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