Module d'alimentation non isolé des convertisseurs 6A du transistor de puissance de transistor MOSFET de LMZ31506RUQR DC/DC avec l'entrée 2.95V-14.5V
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Module d'alimentation non isolé des convertisseurs 6A du transistor de puissance de transistor MOSFET de LMZ31506RUQR DC/DC avec l'entrée 2.95V-14.5V
Caractéristiques 1
- La solution intégrée complète de puissance permet la petite empreinte de pas, conception de Bas-profil
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9-millimètre de × 15 millimètres de × paquet de 2,8 millimètres - Pin Compatible avec LMZ31503
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Efficacités jusqu'à 96%
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La tension de Large-sortie s'ajustent
0,6 V à 5,5 V, avec l'exactitude de référence de 1% -
Soutient l'opération parallèle pour plus à forte intensité
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Le rail fendu facultatif de puissance permet la tension d'entrée vers le bas à 1,6 V
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Fréquence de changement réglable (250 kilohertz à 780 kilohertz)
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Synchronise à une horloge externe
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Lent-commencement réglable
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Ordonnancement de tension de sortie/dépistant
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Bonne sortie de puissance
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Lock-out programmable de sousvoltage (UVLO)
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Protection de surintensité de sortie (mode de hoquet)
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Protection de surchauffe
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démarrage de sortie de Pré-polarisation
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Chaîne de température de fonctionnement : – 40°C à 85°C
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Représentation thermique augmentée : 13°C/W
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Émissions de la classe B des rassemblements EN55022 - inducteur protégé intégré
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Créez conçoivent en fonction du client utilisant le LMZ31506 avec le concepteur de puissance de WEBENCH®
2 applications
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Infrastructure de bande large et de communications
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Essai et matériel médical automatisés
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Le PCI, le PCI Express et les PXI compacts expriment
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Point de DSP et de FPGA d'applications de charge
Description 3
Le module d'alimentation LMZ31506 est une solution intégrée facile à utiliser de puissance qui combine un 6-A C.C-au convertisseur de C.C avec des transistors MOSFET de puissance, un inducteur protégé, et des passifs dans un profil bas, paquet de QFN. Cette solution totale de puissance permet seulement trois composants externes et élimine le processus de sélection de pièce de compensation et de magnetics de boucle.
Le paquet de 9×15×2.8 le millimètre QFN est facile à souder sur une carte électronique et permet une conception compacte de point-de-charge avec l'efficacité plus considérablement que de 90% et l'excellente dissipation de puissance avec une impédance thermique de la jonction 13°C/W à ambiant. Le dispositif fournit le plein courant de sortie 6-A évalué à la température ambiante 85°C sans flux d'air.
Le LMZ31506 offre la flexibilité et l'ensemble de caractéristique d'une conception discrète de point-de-charge et est idéal pour la représentation actionnante DSPs et FPGAs. Technologie du conditionnement avancée avoir les moyens une solution robuste et fiable de puissance compatible avec des méthodes standard de support et d'essai de QFN.

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original

Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT

NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF

Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double

Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485
