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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Transistor MOSFET de puissance de NexFET de N-canal du transistor MOSFET 40V de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD18501Q5A

Transistor MOSFET de puissance de NexFET de N-canal du transistor MOSFET 40V de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD18501Q5A

Transistor MOSFET de puissance de NexFET de N-canal du transistor MOSFET 40V de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD18501Q5A
Transistor MOSFET de puissance de NexFET de N-canal du transistor MOSFET 40V de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD18501Q5A
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-canal 40 V 22A (ventres), 100A (comité technique) 3.1W (merci), 150W (comité technique) bâti 8-VSO
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Emballage:
Coupez la bande
Taille:
1 millimètre
Type de transistor:
1 canal N
Largeur:
4,9 millimètres
Marque:
Texas Instruments
Transconductance en avant - minute:
118 S
Point culminant:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introduction

Transistor MOSFET de puissance de NexFET de N-canal du transistor MOSFET 40V de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD18501Q5A

Caractéristiques 1

  • Qg et Qgd très réduits

  • Basse résistance thermique

  • Avalanche évaluée

  • Niveau de logique

  • Électrodéposition terminale libre de Pb

  • RoHS conforme

  • Halogène libre

  • FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres

2 applications

  • Conversion de DC-DC

  • Redresseur synchrone latéral secondaire

  • Contrôle de moteur à accus

Description 3

Ce 40 V, 2,5 le mΩ, transistor MOSFET de puissance de millimètre NexFETTM du × 6 du FILS 5 ont été conçus pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance.

Résumé de produit

VENTRES = 25°C

VALEUR TYPIQUE

UNITÉ

VDS

Tension de Drain-à-source

40

V

Qg

Total de charge de porte (4,5 V)

20

OR

Qgd

Porte-à-drain de charge de porte

5,9

OR

Le RDS (dessus)

Sur-résistance de Drain-à-source

VGS = 4,5 V

3,3

mΩ

VGS =10V

2,5

mΩ

VGS (Th)

Tension de seuil

1,8

V

L'information de commande (1)

Dispositif

Quantité

Médias

Paquet

Bateau

CSD18501Q5A

2500

bobine 13-Inch

FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres

Bande et bobine

CSD18501Q5AT

250

bobine 7-Inch

Capacités absolues

VENTRES = 25°C

VALEUR

UNITÉ

VDS

Tension de Drain-à-source

40

V

VGS

Tension de Porte-à-source

±20

V

Identification

Courant continu de drain (paquet limité)

100

Courant continu de drain (silicium limité), comité technique = 25°C

161

Courant continu de drain (1)

22

IDM

Courant pulsé de drain (2)

400

Palladium

Dissipation de puissance (1)

3,1

W

Dissipation de puissance, comité technique = 25°C

150

TJ, Tstg

Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage

– 55 à 150

°C

EAS

Énergie d'avalanche, identification simple =68A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion

231

MJ
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