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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Transistor MOSFET 30V, transistor MOSFET de transistor MOSFET de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD17575Q3 de NexFET PWR de N-canal

Transistor MOSFET 30V, transistor MOSFET de transistor MOSFET de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD17575Q3 de NexFET PWR de N-canal

Transistor MOSFET 30V, transistor MOSFET de transistor MOSFET de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD17575Q3 de NexFET PWR de N-canal
Transistor MOSFET 30V, transistor MOSFET de transistor MOSFET de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD17575Q3 de NexFET PWR de N-canal
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-canal 30 V 60A (ventres) 2.8W (merci), 108W (comité technique) bâti 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) de la su
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Poids spécifique:
0,001570 onces
Temps de retard d'ouverture typique:
4 NS
Temps de retard d'arrêt typique:
20 NS
Sous-catégorie:
Transistors MOSFET
Temps de montée:
10 NS
Temps de chute:
3 NS
Point culminant:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introduction

Transistor MOSFET 30V, transistor MOSFET de transistor MOSFET de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD17575Q3 de NexFET PWR de N-canal

Caractéristiques 1

  • Bas Qg et Qgd

  • Le bas RDS (dessus)

  • Basse résistance thermique

  • Avalanche évaluée

  • Électrodéposition terminale libre de Pb

  • RoHS conforme

  • Halogène libre

  • FILS 3,3 millimètres de × paquet en plastique de 3,3 millimètres

2 applications

  • Point de charge Buck Converter synchrone pour des applications dans la mise en réseau, les télécom, et les systèmes de calcul

  • Optimisé pour des applications synchrones de FET

Description 3

Ce 1,9 mΩ, 30 V, transistor MOSFET de puissance du FILS 3×3 NexFETTM sont conçus pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance.

Résumé de produit

VENTRES = 25°C VALEUR TYPIQUE UNITÉ
VDS Tension de Drain-à-source 30 V
Qg Total de charge de porte (4.5V) 23 OR
Qgd Porte-à-drain de charge de porte 5,4 OR
Le RDS (dessus) Drain-à-source sur la résistance VGS = 4,5 V 2,6 mΩ
VGS =10V 1,9
Vth Tension de seuil 1,4

V

L'information de commande

Dispositif

Médias

Quantité

Paquet

Bateau

CSD17575Q3

bobine 13-Inch

2500

× du FILS 3,3 paquet en plastique de 3,3 millimètres

Bande et bobine

CSD17575Q3T

bobine 13-Inch

250

Capacités absolues

VENTRES = 25°C

VALEUR

UNITÉ

VDS

Tension de Drain-à-source

30

V

VGS

Tension de Porte-à-source

±20

V

Identification

Courant continu de drain (limite de paquet)

60

Courant continu de drain (limite de silicium), comité technique = 25°C

182

Courant continu de drain (1)

27

IDM

Courant pulsé de drain (2)

240

Palladium

Dissipation de puissance (1)

2,8

W

Dissipation de puissance, comité technique = 25°C

108

TJ, Tstg

Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage

– 55 à 150

°C

EAS

Énergie d'avalanche, identification simple =48, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion

115

MJ
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