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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Transistor MOSFET 30V, transistor MOSFET de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD17573Q5B de NexFET PWR de N-canal

Transistor MOSFET 30V, transistor MOSFET de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD17573Q5B de NexFET PWR de N-canal

Transistor MOSFET 30V, transistor MOSFET de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD17573Q5B de NexFET PWR de N-canal
Transistor MOSFET 30V, transistor MOSFET de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD17573Q5B de NexFET PWR de N-canal
Transistor MOSFET 30V, transistor MOSFET de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD17573Q5B de NexFET PWR de N-canal
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-canal 30 V 100A (ventres) 3.2W (merci), 195W (comité technique) bâti 8-VSON-CLIP (5x6) de la surfa
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Identification - courant continu de drain:
100 A
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
mOhms 1
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:
1,1 V
Vgs - tension de Porte-source:
10 V
Qg - charge de porte:
49 OR
Palladium - dissipation de puissance:
195 W
Point culminant:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introduction

Transistor MOSFET 30V, transistor MOSFET de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD17573Q5B de NexFET PWR de N-canal

Caractéristiques 1

  • Bas Qg et Qgd

  • Le RDS très réduit (dessus)

  • Résistance Bas-thermique

  • Avalanche évaluée

  • Électrodéposition terminale sans plomb

  • RoHS conforme

  • Halogène libre

  • FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres

2 applications

  • Point-de-charge Buck Converter synchrone pour des applications dans la mise en réseau, les télécom, et les systèmes de calcul

  • Optimisé pour des applications synchrones de FET

Description 3

Ce 0,84 mΩ, 30-V, FILS transistor MOSFET de puissance de 5 de millimètre millimètres NexFETTM du × 6 sont conçus pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance.

Résumé de produit

VENTRES = 25°C

VALEUR TYPIQUE

UNITÉ

VDS

Tension de Drain-à-source

30

V

Qg

Total de charge de porte (4,5 V)

49

OR

Qgd

Porte-à-drain de charge de porte

11,9

OR

Le RDS (dessus)

Drain-à-source sur la résistance

VGS = 4,5 V

1,19

mΩ

VGS =10V

0,84

VGS (Th)

Tension de seuil

1,4

V

L'information de dispositif

DISPOSITIF

Quantité

MÉDIAS

PAQUET

BATEAU

CSD17573Q5B

2500

bobine 13-Inch

FILS 5,00 millimètres de × paquet en plastique de 6,00 millimètres

Bande et bobine

CSD17573Q5BT

250

bobine 7-Inch

Capacités absolues

VENTRES = 25°C

VALEUR

UNITÉ

VDS

Tension de Drain-à-source

30

V

VGS

Tension de Porte-à-source

±20

V

Identification

Courant continu de drain (Package Limited)

100

Courant continu de drain (Silicon Limited), comité technique = 25°C

332

Courant continu de drain (1)

43

IDM

Courant pulsé de drain (2)

400

Palladium

Dissipation de puissance (1)

3,2

W

Dissipation de puissance, comité technique = 25°C

195

TJ, Tstg

Jonction fonctionnante, température de stockage

– 55 à 150

°C

EAS

Énergie d'avalanche, identification simple =76, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion

289

MJ
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