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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Transistors MOSFET de puissance du transistor MOSFET 30V N-ch NexFET de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD17556Q5B

Transistors MOSFET de puissance du transistor MOSFET 30V N-ch NexFET de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD17556Q5B

Transistors MOSFET de puissance du transistor MOSFET 30V N-ch NexFET de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD17556Q5B
Transistors MOSFET de puissance du transistor MOSFET 30V N-ch NexFET de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD17556Q5B
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 150 C
Palladium - dissipation de puissance:
3,1 W
Configuration:
Simple
Taille:
1 millimètre
Longueur:
6 millimètres
Point culminant:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introduction

Transistors MOSFET de puissance du transistor MOSFET 30V N-ch NexFET de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD17556Q5B

Caractéristiques 1

  • Extrêmement - basse résistance

  • Qg et Qgd très réduits

  • Résistance Bas-thermique

  • Avalanche évaluée

  • Électrodéposition terminale sans plomb

  • RoHS conforme

  • Halogène libre

  • FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres

2 applications

  • Point de mâle synchrone de charge dans la mise en réseau, les télécom, et les systèmes de calcul

  • Rectification synchrone

  • Applications actives de joint circulaire et de Hotswap

Description 3

Ce 30-V, 1,2 mΩ, transistor MOSFET de puissance de 5 de millimètre millimètres NexFETTM du × 6 est conçu pour réduire au maximum des pertes dans la rectification synchrone et d'autres applications de conversion de puissance.

Résumé de produit

VENTRES = 25°C

VALEUR TYPIQUE

UNITÉ

VDS

Tension de Drain-à-source

30

V

Qg

Total de charge de porte (4,5 V)

30

OR

Qgd

Porte-à-drain de charge de porte

7,5

OR

Le RDS (dessus)

Sur-résistance de Drain-à-source

VGS = 4,5 V

1,5

mΩ

VGS =10V

1,2

VGS (Th)

Tension de seuil

1,4

V

L'information de dispositif

DISPOSITIF

Quantité

MÉDIAS

PAQUET

BATEAU

CSD17556Q5B

2500

bobine 13-Inch

FILS 5,00 millimètres de × paquet en plastique de 6,00 millimètres

Bande et bobine

CSD17556Q5BT

250

Capacités absolues

VENTRES = 25°C

VALEUR

UNITÉ

VDS

Tension de Drain-à-source

30

V

VGS

Tension de Porte-à-source

±20

V

Identification

Courant continu de drain (Package Limited)

100

Courant continu de drain (Silicon Limited), comité technique = 25°C

215

Courant continu de drain (1)

34

IDM

Courant pulsé de drain, MERCI = 25°C (1) (2)

400

Palladium

Dissipation de puissance (1)

3,1

W

Dissipation de puissance, comité technique = 25°C

191

TJ, Tstg

Jonction fonctionnante, température de stockage

– 55 à 150

°C

EAS

Énergie d'avalanche, identification simple =100A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion

500

MJ
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