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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Transistor MOSFET de puissance de NexFET de la Manche du transistor MOSFET 30V N de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD17313Q2

Transistor MOSFET de puissance de NexFET de la Manche du transistor MOSFET 30V N de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD17313Q2

Transistor MOSFET de puissance de NexFET de la Manche du transistor MOSFET 30V N de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD17313Q2
Transistor MOSFET de puissance de NexFET de la Manche du transistor MOSFET 30V N de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD17313Q2
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Identification - courant continu de drain:
5 A
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
30 mOhms
Vgs - tension de Porte-source:
8 V
Qg - charge de porte:
2,1 OR
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 150 C
Point culminant:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introduction

Transistor MOSFET de puissance de NexFET de la Manche du transistor MOSFET 30V N de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD17313Q2

Caractéristiques 1

  • Optimisé pour la commande de la porte 5-V

  • Qg et Qgd très réduits

  • Basse résistance thermique

  • Sans Pb

  • RoHS conforme

  • Sans halogène

  • FILS 2 millimètres de × paquet en plastique de 2 millimètres

2 applications

  • Convertisseurs de DC-DC

  • Applications de gestion de batterie et de charge

Description 3

Ce 30-V, 24 mΩ, 2 millimètres X transistor MOSFET de puissance de NexFETTM de FILS de 2 millimètres est conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance et optimisé pour des applications d'entraînement de la porte 5-V. Le × de 2 millimètres FILS de 2 millimètres offre l'excellente représentation thermique pour la taille du paquet.

Résumé de produit

(1) pour tous les paquets disponibles, voyez l'addendum ordonnable à l'extrémité de la fiche technique.

VENTRES = 25°C

VALEUR TYPIQUE

UNITÉ

VDS

Tension de Drain-à-source

30

V

Qg

Total de charge de porte (4,5 V)

2,1

OR

Qgd

Porte-à-drain de charge de porte

0,4

OR

Le RDS (dessus)

Drain-à-source sur la résistance

VGS = 3 V

31

mΩ

VGS = 4,5 V

26

mΩ

VGS = 8 V

24

mΩ

VGS (Th)

Tension de seuil

1,3

V

L'information de commande

NUMÉRO DE LA PIÈCE

Quantité

MÉDIAS

PAQUET

BATEAU

CSD17313Q2

3000

bobine 13-Inch

FILS 2 millimètres de × paquet en plastique de 2 millimètres

Bande et bobine

CSD17313Q2T

250

bobine 7-Inch

Capacités absolues

VENTRES = 25°C

VALEUR

UNITÉ

VDS

Tension de Drain-à-source

30

V

VGS

Tension de Porte-à-source

+10/– 8

V

Identification

Courant continu de drain (paquet limité)

5

Courant continu de drain (silicium limité), comité technique = 25°C

19

Courant continu de drain (1)

7,3

IDM

Courant pulsé de drain, MERCI = 25°C (2)

57

Palladium

Dissipation de puissance (1)

2,4

W

Dissipation de puissance, comité technique = 25°C

17

TJ, TSTG

Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage

– 55 à 150

°C

EAS

Énergie d'avalanche, impulsion simple, identification =19A, L=0.1mH, RG =25Ω

18

MJ
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