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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Transistor MOSFET du transistor MOSFET 25V NexFET N ch PWR de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD16556Q5B

Transistor MOSFET du transistor MOSFET 25V NexFET N ch PWR de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD16556Q5B

Transistor MOSFET du transistor MOSFET 25V NexFET N ch PWR de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD16556Q5B
Transistor MOSFET du transistor MOSFET 25V NexFET N ch PWR de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD16556Q5B
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
1,2 mOhms
Temps de montée:
34 NS
Temps de chute:
13 NS
Type de produit:
Transistor MOSFET
Temps de retard d'ouverture typique:
17 NS
Temps de retard d'arrêt typique:
25 NS
Point culminant:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introduction

Transistor MOSFET du transistor MOSFET 25V NexFET N ch PWR de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD16556Q5B

Caractéristiques 1

  • Extrêmement - basse résistance

  • Qg et Qgd très réduits

  • Basse résistance thermique

  • Avalanche évaluée

  • Électrodéposition terminale libre de Pb

  • RoHS conforme

  • Halogène libre

  • FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres

2 applications

  • Mâle synchrone de Point-de-charge dans la mise en réseau, les télécom, et les systèmes de calcul

  • Optimisé pour des applications synchrones de FET

Description 3
Ce 25 V, 0,9 mΩ, le × 5 transistor MOSFET de puissance de NexFETTM de FILS de 6 millimètres sont conçus pour réduire au maximum des pertes dans la rectification synchrone et d'autres applications de conversion de puissance.

Capacités absolues

VENTRES = 25°C

VALEUR TYPIQUE

UNITÉ

VDS

Tension de Drain-à-source

25

V

Qg

Total de charge de porte (4,5 V)

36

OR

Qgd

Porte-à-drain de charge de porte

12

OR

Le RDS (dessus)

Sur-résistance de Drain-à-source

VGS = 4,5 V

1,2

mΩ

VGS =10V

0,9

mΩ

VGS (Th)

Tension de seuil

1,4

V

Dispositif

Médias

Quantité

Paquet

Bateau

CSD16556Q5B

bobine 13-Inch

2500

FILS paquet en plastique de 5 x 6 millimètres

Bande et bobine

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