Transistor MOSFET 12V 9.3mohm de puissance du transistor MOSFET N-CH d'horloge de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD13202Q2
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Transistor MOSFET 12V 9.3mohm de puissance du transistor MOSFET N-CH d'horloge de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD13202Q2
Caractéristiques 1
- Qg et Qgd très réduits
-
Basse résistance thermique
-
Avalanche évaluée
-
Électrodéposition terminale sans plomb
-
RoHS conforme
-
Halogène libre
-
FILS 2 millimètres de × paquet en plastique de 2 millimètres
2 applications
-
Optimisé pour des applications de commutateur de charge
-
Stockage, Tablettes, et dispositifs tenus dans la main
-
Optimisé pour des applications de FET de contrôle
-
Point de charge Buck Converters synchrone
Description 3
Ce 12-V, transistor MOSFET de puissance de NexFETTM de 7,5 mΩ a été conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de gestion de conversion et de charge de puissance. Représentation thermique d'offres du × 2 du FILS 2 l'excellente pour la taille du paquet.
Résumé de produit
|
VENTRES = 25°C |
VAUE TYPIQUE |
UNITÉ |
||
|
VDS |
Tension de Drain-à-source |
12 |
V |
|
|
Qg |
Total de charge de porte (4,5 V) |
5,1 |
OR |
|
|
Qgd |
Porte-à-drain de charge de porte |
0,76 |
OR |
|
|
Le RDS (dessus) |
Sur-résistance de Drain-à-source |
VGS = 2,5 V |
9,1 |
mΩ |
|
VGS = 4,5 V |
7,5 |
|||
|
VGS (Th) |
Tension de seuil |
0,8 |
V |
|
L'information de dispositif
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DISPOSITIF |
MÉDIAS |
Quantité |
PAQUET |
BATEAU |
|
CSD13202Q2 |
bobine 7-Inch |
3000 |
FILS 2,00 millimètres de × paquet en plastique de 2,00 millimètres |
Bande et bobine |
Capacités absolues
|
VENTRES = 25°C |
VALEUR |
UNITÉ |
|
|
VDS |
Tension de Drain-à-source |
12 |
V |
|
VGS |
Tension de Porte-à-source |
±8 |
V |
|
Identification |
Courant continu de drain (limite de paquet) |
22 |
|
|
Courant continu de drain (1) |
14,4 |
||
|
IDM |
Courant pulsé de drain, MERCI = 25°C (2) |
76 |
|
|
Palladium |
Dissipation de puissance (1) |
2,7 |
W |
|
TJ, TSTG |
Jonction fonctionnante, température de stockage |
– 55 à 150 |
°C |
|
EAS |
Énergie d'avalanche, identification simple =20A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion |
20 |
MJ |