Résistance thermique très réduite de Circuit NCh NexFET PWR de conducteur de moteur de transistor MOSFET de CSD17308Q3 CSD17308Q3T Qg basse
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Transistor MOSFET du transistor MOSFET 30V NCh NexFET PWR de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD17308Q3 CSD17308Q3T
Caractéristiques 1
- Optimisé pour la commande de la porte 5-V
-
Qg et Qgd très réduits
-
Basse résistance thermique
-
Avalanche évaluée
-
Électrodéposition terminale libre de Pb
-
RoHS conforme
-
Halogène libre
-
VSON 3,3 millimètres de × paquet en plastique de 3,3 millimètres
2 applications
-
Point de carnet de charge
-
Mâle synchrone de Point-de-charge dans la mise en réseau, les télécom, et les systèmes de calcul
Description 3
Ce 30-V, 8,2 mΩ, 3,3 transistor MOSFET de puissance du millimètre VSON NexFETTM du × 3,3 de millimètre est conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance et optimisé pour des applications d'entraînement de la porte 5-V.
Résumé de produit
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VENTRES = 25°C |
VALEUR |
UNITÉ |
||
|
VDS |
tension de Drain-à-source |
30 |
V |
|
|
Qg |
Total de charge de porte (4,5 V) |
3,9 |
OR |
|
|
Qgd |
Porte de charge de porte à vidanger |
0,8 |
OR |
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Le RDS (dessus) |
Drain-à-source sur la résistance |
VGS = 3 V |
12,5 |
mΩ |
|
VGS = 4,5 V |
9,4 |
mΩ |
||
|
VGS = 8 V |
8,2 |
mΩ |
||
|
VGS (Th) |
Tension de seuil |
1,3 |
V |
|
L'information de commande
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DISPOSITIF |
Quantité |
MÉDIAS |
PAQUET |
BATEAU |
|
CSD17308Q3 |
2500 |
bobine 13-Inch |
FILS 3,3 millimètres de × paquet en plastique de 3,3 millimètres |
Bande et bobine |
Capacités absolues
|
VENTRES = 25°C sauf indication contraire |
VALEUR |
UNITÉ |
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VDS |
tension de Drain-à-source |
30 |
V |
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VGS |
tension de Porte-à-source |
+10/– 8 |
V |
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Identification |
Courant continu de drain (Package Limited) |
50 |
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|
Courant continu de drain, comité technique = 25°C |
44 |
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|
Courant continu de drain (1) |
14 |
||
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IDM |
Courant pulsé de drain, MERCI = 25°C (2) |
167 |
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Palladium |
Dissipation de puissance (1) |
2,7 |
W |
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Dissipation de puissance, comité technique = 25°C |
28 |
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TJ, Tstg |
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage |
– 55 à 150 |
°C |
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EAS |
Énergie d'avalanche, identification simple =36A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion |
65 |
MJ |