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Transistor MOSFET PowerMESH Zener SuperMESH de transistor de puissance de transistor MOSFET de STP4NK60ZFP

Transistor MOSFET PowerMESH Zener SuperMESH de transistor de puissance de transistor MOSFET de STP4NK60ZFP
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
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Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 150 C
Palladium - dissipation de puissance:
70 W
Configuration:
Simple
Mode de la Manche:
Amélioration
Taille:
9,3 millimètres
Point culminant:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introduction

Transistor MOSFET PowerMESH Zener SuperMESH de transistor de puissance de transistor MOSFET de STP4NK60ZFP

Caractéristiques

Codes d'ordre

VDS

Maximum du RDS (dessus).

PTOT

Identification

STP4NK60Z

600 V

70 W

4A

STP4NK60ZFP

  • l'avalanche 100% a examiné

  • Capacités intrinsèques très basses • Zener-protégé

Applications

• Applications de changement

Description

Ces dispositifs sont les transistors MOSFET de puissance Zener-protégés parcanal développés utilisant la technologie de SuperMESHTM de STMicroelectronics, réalisée par l'optimisation de la disposition basée sur bande bien établie de PowerMESHTM du St. En plus d'une réduction significative dedans sur la résistance, ce dispositif est conçu pour assurer un haut niveau de la capacité de dv/dt pour les applications les plus exigeantes.

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