Transistor de puissance du transistor MOSFET STP110N8F6 110 A, transistor MOSFET de puissance de STripFET F6 dans un paquet TO-220
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
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Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Palladium - dissipation de puissance:
200 W
Température de fonctionnement maximum:
+ 175 C
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Qg - charge de porte:
150 OR
Vgs - tension de Porte-source:
10 V
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:
2,5 V
Point culminant:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Introduction
Transistor de puissance du transistor MOSFET STP110N8F6 110 A, transistor MOSFET de puissance de STripFET F6 dans un paquet TO-220
Caractéristiques
|
Code d'ordre |
VDS |
Le RDS (dessus) maximum |
Identification |
PTOT |
|
STP110N8F6 |
80 V |
0,0065 Ω |
110 A |
200 W |
-
Sur-résistance très basse
-
Basse charge même de porte
-
Rugosité élevée d'avalanche
-
Basse perte de puissance d'entraînement de porte
Applications
• Applications de changement
Description
Ce dispositif est un transistor MOSFET de puissance de N-canal s'est développé utilisant la technologie de STripFETTM F6 avec une nouvelle structure de porte de fossé. Le transistor MOSFET en résultant de puissance montre le RDS très bas (dessus) en tous les paquets.
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