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Transistor MOSFET N-ch de transistor de puissance du transistor MOSFET STP55NF06 60 volts 55 ampères

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
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Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
18 mOhms
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:
2 V
Vgs - tension de Porte-source:
10 V
Qg - charge de porte:
44,5 OR
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 175 C
Point culminant:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introduction

Transistor MOSFET N-ch de transistor de puissance du transistor MOSFET STP55NF06 60 volts 55 ampères

Caractéristiques

Code d'ordre VDSS Maximum du RDS (dessus). Identification
STB55NF06 60 V < 0="">50 A
STP55NF06
STP55NF06FP

1. Référez-vous au soa pour la valeur courante permise maximum sur en raison de type point de gel de la valeur de Rth

  • l'avalanche 100% a examiné
  • Capacité exceptionnelle de dv/dt

Applications

  • Application de changement

Description

Ces transistors MOSFET de puissance ont été développés utilisant le processus unique de STripFET de STMicroelectronics, qui est spécifiquement conçu pour réduire au minimum la capacité d'entrée et la charge de porte. Ceci rend les dispositifs appropriées pour l'usage en tant que commutateur primaire dans des convertisseurs d'isolement à haute efficacité avancés de C.C de C.C pour des télécom et des applications informatiques, et des applications avec la basse charge de porte conduisant des conditions.

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