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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Transistor MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM de transistor de puissance de transistor MOSFET de NTMFS4833NT1G

Transistor MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM de transistor de puissance de transistor MOSFET de NTMFS4833NT1G

Transistor MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM de transistor de puissance de transistor MOSFET de NTMFS4833NT1G
Transistor MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM de transistor de puissance de transistor MOSFET de NTMFS4833NT1G
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Canal N 30 V 16 A (Ta), 156 A (Tc) 910 mW (Ta), 125 W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Fabricant Kit:
SUR le semi-conducteur
Longueur:
4,9 millimètres
Taille:
1,05 millimètres
Emballage:
Bobine
Mode de la Manche:
Amélioration
Configuration:
Simple
Point culminant:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introduction

Transistor MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM de transistor de puissance de transistor MOSFET de NTMFS4833NT1G

Caractéristiques

• Le bas RDS (dessus) pour réduire au maximum des pertes de conduction
• Basse capacité pour réduire au minimum le conducteur Losses
• Charge optimisée de porte pour réduire au maximum des pertes de changement

• Ce sont des dispositifs de Pb−Free

Applications

• Référez-vous à la note d'application AND8195/D

• La fourniture de courant d'unité centrale de traitement
• Convertisseurs de DC−DC
• Basse commutation latérale

ESTIMATIONS MAXIMUM (TJ = 25°C sauf indication contraire)

Paramètre

Symbole

Valeur

Unité

Tension de Drain−to−Source

VDSS

30

V

Tension de Gate−to−Source

VGS

±20

V

Drain continu RqJA actuel (note 1)

Équilibré

VENTRES = 25°C

Identification

28

VENTRES = 85°C

20,5

Dissipation de puissance RqJA (note 1)

VENTRES = 25°C

Palladium

2,7

W

Drain continu RqJA actuel (note 2)

VENTRES = 25°C

Identification

16

VENTRES = 85°C

12

Dissipation de puissance RqJA (note 2)

VENTRES = 25°C

Palladium

1,1

W

Drain continu RqJC actuel (note 1)

Comité technique = 25°C

Identification

191

Comité technique = 85°C

138

Dissipation de puissance RqJC (note 1)

Comité technique = 25°C

Palladium

113,6

W

Courant pulsé de drain

VENTRES = 25°C, tp =10ms

IDM

288

Jonction et température de stockage fonctionnantes

TJ, TSTG

−55 à +150

°C

Courant de source (diode de corps)

EST

104

Drain à la source dV/dt

dV/dt

6

V/ns

Énergie simple d'avalanche de Drain−to−Source d'impulsion (TJ =25°C, VDD =30V, VGS =10V, IL = 35 Apk, L = 1,0 MH, RG = 25 W)

EAS

612,5

MJ

La température d'avance pour le soudure (1/8 ′ de ′ de point de droit pour 10 s)

TL

260

°C
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