Redresseurs 200V 3A de transistor de puissance de transistor MOSFET de MURS320T3G ultra-rapides
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Redresseurs 200V 3A de transistor de puissance de transistor MOSFET de MURS320T3G ultra-rapides
Caractéristiques
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Petit paquet montable extérieur compact avec des avances de J−Bend
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Paquet rectangulaire pour la manipulation automatisée
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Jonction passivée en verre à hautes températures
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Bas V en avant @ 1,0 maximum A, TJ de la chute de tension (0,71 à 1,05 = 150°C)
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Préfixes NRVUS et SURS8 pour applications des véhicules à moteur et autres
Exigence des conditions uniques de rupture de site et de contrôle ;
AEC−Q101 a qualifié et PPAP capable
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Ces dispositifs sont Pb−Free, l'halogène Free/BFR libre et sont RoHS
Conforme
Caractéristiques mécaniques :
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Cas : Époxyde, moulé
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Poids : mg 95 (approximativement)
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Finition : Toutes les surfaces externes anticorrosion et avances terminales sont aisément Solderable
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La température d'avance et de surface de montage pour le soudure :
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Polarité : La bande de polarité indique l'avance de cathode
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Estimation d'ESD :
* HumanBodyModel=3B (>8kV)
* MachineModel=C (>400V)

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