Redresseurs 200V 1A de transistor de puissance de transistor MOSFET de MURS120T3G ultra-rapides
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Redresseurs 200V 1A de transistor de puissance de transistor MOSFET de MURS120T3G ultra-rapides
Caractéristiques
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Petit paquet montable extérieur compact avec des avances de J−Bend
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Paquet rectangulaire pour la manipulation automatisée
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Jonction passivée en verre à hautes températures
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Bas V en avant @ 1,0 maximum A, TJ de la chute de tension (0,71 à 1,05 = 150°C)
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Préfixes NRVUS et SURS8 pour applications des véhicules à moteur et autres exigeant des conditions uniques de rupture de site et de contrôle ; AEC−Q101 a qualifié et PPAP capable
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Ces dispositifs sont Pb−Free, l'halogène Free/BFR libre et sont RoHS conforme
Caractéristiques mécaniques :
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Cas : Époxyde, moulé
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Poids : mg 95 (approximativement)
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Finition : Toutes les surfaces externes anticorrosion et avances terminales sont aisément Solderable
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La température d'avance et de surface de montage pour le soudure : maximum 260°C pendant 10 secondes
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Polarité : La bande de polarité indique l'avance de cathode
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Estimation d'ESD :
* HumanBodyModel=3B (>8kV) * MachineModel=C (>400V)
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ESTIMATIONS MAXIMUM
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Estimation |
Symbole |
MURS/SURS8/NRVUS |
Unité |
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105T3 |
110T3 |
115T3 |
120T3 |
140T3 |
160T3 |
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Tension inverse répétitive maximale fonctionnant la tension de blocage maximale de C.C de tension inverse |
VRRM VRWM VR |
50 |
100 |
150 |
200 |
400 |
600 |
V |
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Courant en avant rectifié par moyenne |
SI (POIDS DU COMMERCE) |
1,0 @ TL = 155°C 2,0 @ TL = 145°C |
1,0 @ TL = 150°C 2,0 @ TL = 125°C |
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Courant de montée subite de crête de Non−Repetitive, (montée subite appliquée à mi-onde évaluée de conditions de charge, à monophasé, 60 hertz) |
IFSM |
40 |
35 |
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La température de jonction fonctionnante |
TJ |
*65 à +175 |
°C |
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