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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Diodes Zener 11V 500mW de transistor de puissance de transistor MOSFET de MMSZ5241BT1G

Diodes Zener 11V 500mW de transistor de puissance de transistor MOSFET de MMSZ5241BT1G

Diodes Zener 11V 500mW de transistor de puissance de transistor MOSFET de MMSZ5241BT1G
Diodes Zener 11V 500mW de transistor de puissance de transistor MOSFET de MMSZ5241BT1G
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
DIODE ZENER 11V 500MW SOD123
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Fabricant Kit:
SUR le semi-conducteur
Montage du style:
SMD/SMT
Paquet/cas:
SOD-123-2
Palladium - dissipation de puissance:
500 mW
Tolérance de tension:
5 %
Courant de Zener:
2 uA
Point culminant:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introduction

Diodes Zener 11V 500mW de transistor de puissance de transistor MOSFET de MMSZ5241BT1G

Caractéristiques

• estimation de 500 mW sur le panneau FR−4 ou FR−5
• − large 2,4 V de chaîne de tension inverse de Zener à courant ascendant de 110 V @

Equilibrium*
• Paquet conçu pour l'Assemblée automatisée optimale de conseil
• Taille de petit paquet pour des applications à haute densité
• Courant d'usage universel et moyen
• Estimation d'ESD de la classe 3 (> 16 kilovolts) par modèle de corps humain
• Préfixe de la SZ pour exigence des véhicules à moteur et autre d'applications unique

Conditions de rupture de site et de contrôle ; AEC−Q101 a qualifié et

PPAP capable
• Ce sont Pb−Free Devices*

ESTIMATIONS MAXIMUM

Estimation

Symbole

Maximum

Unités

Dissipation de puissance totale sur le panneau FR−5, (note 1) @ TL = 75°C
Sous-sollicité au-dessus de 75°C

Palladium

500 6,7

mW mW/°C

Résistance thermique, Junction−to−Ambient (note 2)

RqJA

340

°C/W

Résistance thermique, Junction−to−Lead (note 2)

RqJL

150

°C/W

Température ambiante de jonction et de température de stockage

TJ, Tstg

−55 à +150

°C

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