CSD17578Q3A montant le transistor de puissance de transistor MOSFET de style 30 V 8-VSONP
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Transistor MOSFET CSD17578Q3A 30 V 8-VSONP de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD17578Q3A
Caractéristiques 1
- Bas Qg et Qgd
-
Le bas RDS (dessus)
-
Basse résistance thermique
-
Avalanche évaluée
-
Sans Pb
-
RoHS conforme
-
Halogène libre
-
FILS 3,3 millimètres de × paquet en plastique de 3,3 millimètres
2 applications
-
Point-de-charge Buck Converter synchrone pour des applications dans la mise en réseau, les télécom, et les systèmes de calcul
-
Optimisé pour des applications de FET de contrôle
Description 3
Ce 30 V, 6,3 le mΩ, FILS transistor MOSFET de puissance de 3,3 de millimètre millimètres NexFETTM du × 3,3 sont conçus pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance.
Résumé de produit
| VENTRES = 25°C | VALEUR TYPIQUE | UNITÉ | ||
| VDS | Tension de Drain-à-source | 30 | V | |
| Qg | Total de charge de porte (4,5 V) | 7,9 | OR | |
| Qgd | Porte de charge de porte à vidanger | 1,7 | OR | |
| Le RDS (dessus) | Sur-résistance de Drain-à-source | VGS = 4,5 V | 8,2 | mΩ |
| VGS =10V | 6,3 | mΩ | ||
| VGS (Th) | Tension de seuil | 1,5 | V | |
L'information de commande
|
DISPOSITIF |
MÉDIAS |
Quantité |
PAQUET |
BATEAU |
|
CSD17578Q3A |
bobine 13-Inch |
2500 |
FILS paquet en plastique de 3,3 x 3,3 millimètres |
Bande et bobine |
|
CSD17578Q3AT |
bobine 7-Inch |
250 |
Capacités absolues
|
VENTRES = 25°C |
VALEUR |
UNITÉ |
|
|
VDS |
Tension de Drain-à-source |
30 |
V |
|
VGS |
Tension de Porte-à-source |
±20 |
V |
|
Identification |
Courant continu de drain (paquet limité) |
20 |
|
|
Courant continu de drain (silicium limité), comité technique = 25°C |
54 |
||
|
Courant continu de drain (1) |
14 |
||
|
IDM |
Courant pulsé de drain (2) |
142 |
|
|
Palladium |
Dissipation de puissance (1) |
2,5 |
W |
|
Dissipation de puissance, comité technique = 25°C |
37 |
||
|
TJ, Tstg |
La température de jonction fonctionnante, température de stockage |
– 55 à 150 |
°C |
|
EAS |
Énergie d'avalanche, identification simple =22A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion |
24 |
MJ |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485