Conducteur Circuit, transistor de commutation de puissance PowerTrench de transistor MOSFET de la Manche de FDMS6681Z P
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
P-canal 30 V 21.1A (ventres), 49A (comité technique) 2.5W (merci), 73W (comité technique) bâti 8-PQF
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
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Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Poids spécifique:
0,002402 onces
Type de produit:
Transistor MOSFET
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 150 C
Palladium - dissipation de puissance:
2,5 W
Emballage:
Coupez la bande
Point culminant:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Introduction
P-canal PowerTrench du transistor MOSFET -30V de transistor de puissance de transistor MOSFET de FDMS6681Z
Caractéristiques
- MΩ 3,2 maximum du RDS (dessus) = à VGS = -10 V, identification = -21,1 A
- MaxrDS (dessus) =5.0mΩatVGS =-4.5V, identification =-15.7A
-
Combinaison avancée de paquet et de silicium pour le bas RDS (dessus)
-
Niveau de protection de HBM ESD de 8kV typique (note 3)
-
Design d'emballage MSL1 robuste
-
RoHS conforme
Description générale
Le FDMS6681Z a été conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de commutateur de charge. Des avancements en technologies de silicium et de paquet ont été combinés pour offrir le plus bas RDS (dessus) et la protection d'ESD.
Applications
- Commutateur de charge dans le carnet et le serveur
- Gestion de puissance de paquet de batterie de carnet
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