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Configuration simple à haute tension de NCh PowerTrench de transistor de puissance du transistor MOSFET FDT3612

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti 3W (merci) extérieur du N-canal 100 V 3.7A (ventres) SOT-223-4
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Poids spécifique:
0,003951 onces
Type de produit:
Transistor MOSFET
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 150 C
Configuration:
Simple
Mode de la Manche:
Amélioration
Point culminant:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introduction

Transistor MOSFET 100V NCh PowerTrench de transistor de puissance du transistor MOSFET FDT3612

Description générale

Ce transistor MOSFET de N-canal a été conçu spécifiquement pour améliorer la performance globale des convertisseurs de DC/DC utilisant les contrôleurs synchrones ou conventionnels de la commutation PWM.

Ces transistors MOSFET comportent une commutation plus rapide et une charge inférieure de porte que d'autres transistors MOSFET avec des caractéristiques comparables du RDS (DESSUS). Le résultat est des conceptions d'alimentation d'une énergie de transistor MOSFET il est facile et plus sûr conduire que (même aux hautes fréquences mêmes), et de DC/DC avec une performance globale plus élevée.

Applications

• DC/DCconverter

• Motordriving

Caractéristiques

  • 3.7A, 100V. LE RDS (DESSUS) =120MΩ@VGS =10V LE RDS (DESSUS) =130MΩ@VGS =6V
  • Fastswitchingspeed
  • Lowgatecharge (14nCtyp)
  • Highperformancetrenchtechnologyforextremely le bas RDS (DESSUS)
  • Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle dans un paquet extérieur très utilisé de bâti

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