Charge rapide de porte de vitesse de commutation de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de FDPF045N10A 100V N basse
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Transistor MOSFET de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET 100V de transistor de puissance de transistor MOSFET de FDPF045N10A
Caractéristiques
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Le RDS (dessus) =3.7mΩ (type.) @VGS =10V, identification =67A
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Vitesse de changement rapide
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Basse charge de porte, QG = 57 OR (type.)
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Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (dessus)
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Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle
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RoHS conforme
Description
Ce transistor MOSFET de N-canal est produit utilisant le processus anticipé de PowerTrench® de Fairchild Semiconductor® qui a été travaillé pour réduire au minimum la résistance de sur-état tandis que maintenez la représentation de changement supérieure d'ing.
Applications
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Rectification synchrone pour ATX/bloc alim. de serveur/télécom
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Commandes de moteur et alimentations d'énergie non interruptible
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Inverseur solaire micro

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