N-canal PowerTrench de Circuit Using Transistor 100V de conducteur du transistor MOSFET FDMS3662
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-canal 100 V 8.9A (ventres), 49A (comité technique) 2.5W (merci), 104W (comité technique) bâti 8-PQ
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
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Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Poids spécifique:
0,002402 onces
Type de produit:
Transistor MOSFET
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 155 C
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
mOhms 14,8
Vgs - tension de Porte-source:
20 V
Point culminant:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
Introduction
N-canal PowerTrench du transistor MOSFET 100V de transistor de puissance du transistor MOSFET FDMS3662
Caractéristiques
- Le RDS maximum (dessus) = 14.8mΩ à VGS = 10V, identification = 8.9A
- Combinaison avancée de paquet et de silicium pour le bas RDS (dessus)
- Design d'emballage MSL1 robuste
- 100% UIL examiné
- RoHS conforme
Description générale
Ce transistor MOSFET de N-canal est produit utilisant le processus avancé de ® de fossé de la puissance du semi-conducteur de Fairchild qui a été particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance de sur-état mais maintenir la représentation de changement supérieure.
Application
- C.C - conversion de C.C
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