Fossé conforme de puissance de la Manche du transistor de puissance de transistor MOSFET de FDMC6679AZ RoHS -30V P
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
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Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Poids spécifique:
0,005832 onces
Type de produit:
Transistor MOSFET
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 150 C
Configuration:
Simple
Palladium - dissipation de puissance:
41 W
Point culminant:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Introduction
Fossé de puissance de P-canal du transistor MOSFET -30V de transistor de puissance de transistor MOSFET de FDMC6679AZ
Caractéristiques
- MΩ 10 maximum du RDS (dessus) = à VGS = -10 V, identification = -11,5 A
- Maximum r = mΩ 18 à V = -4,5 V, je = -8,5 Un DS (sur) GS D
- Niveau de protection de HBM ESD de 8 kilovolts de typique (note 3)
- Gamme prolongée de VGSS (- 25 V) pour des applications de batterie
- Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (dessus)
- Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle
- L'arrêt est sans plomb et RoHS conforme
Description générale
Le FDMC6679AZ a été conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de commutateur de charge. Des avancements en technologies de silicium et de paquet ont été combinés pour offrir le plus bas RDS (dessus) et la protection d'ESD.
Applications
- Commutateur de charge dans le carnet et le serveur
- Gestion de puissance de paquet de batterie de carnet
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