Circuits de transistor de transistor MOSFET de la vitesse FDC3535 rapide, circuit de commande de moteur de transistor MOSFET
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
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Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Poids spécifique:
0,001270 onces
Type de produit:
Transistor MOSFET
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 150 C
Configuration:
Simple
Palladium - dissipation de puissance:
1,6W
Point culminant:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
Introduction
Transistor MOSFET de transistor MOSFET de transistor de puissance du transistor MOSFET FDC3535 ; -80V P-Chan PowerTrench
Caractéristiques
- MaxrDS (dessus) =183mΩatVGS =-10V, identification =-2.1A
- MaxrDS (dessus) =233mΩatVGS =-4.5V, identification =-1.9A
- Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (dessus)
- Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle dans un paquet extérieur très utilisé de bâti
- Vitesse de changement rapide
- 100% UIL examiné
- RoHS conforme
Description générale
Ce transistor MOSFET de P-canal est produit utilisant le processus avancé de ® de fossé de la puissance du semi-conducteur de Fairchild qui a été optimisé pour le RDS (dessus), la représentation et la rugosité de changement.
Applications
- Commutateur de charge
- Redresseur synchrone
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