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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Transistors MOSFET du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de CSD87312Q3E 2 doubles 30V N-CH NexFET PWR

Transistors MOSFET du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de CSD87312Q3E 2 doubles 30V N-CH NexFET PWR

Transistors MOSFET du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de CSD87312Q3E 2 doubles 30V N-CH NexFET PWR
Transistors MOSFET du transistor de puissance de transistor MOSFET de la Manche de CSD87312Q3E 2 doubles 30V N-CH NexFET PWR
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Mode de la Manche:
Amélioration
Configuration:
Double
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 125 C
Polarité de transistor:
N-canal
Nombre de canaux:
La Manche 2
Point culminant:

p channel mosfet driver circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introduction

De CSD87312Q3E de transistor MOSFET de puissance de transistor doubles 30V N-CH NexFET PWR transistors MOSFET du transistor MOSFET

CARACTÉRISTIQUES

  • Ection de CommonSourceConn
  • Ultr un L drain d'o W pour vidanger la Sur-résistance
  • FILS d'économie de l'espace paquet en plastique de 3,3 x de 3.3mm
  • Optimisé pour la commande de la porte 5V
  • Basse résistance thermique
  • Avalanche évaluée
  • Électrodéposition terminale libre de Pb
  • RoHS conforme
  • APPLICATIONS libres d'halogène

APPLICATIONS

  • Adaptor/USB a entré la protection pour le carnet
  • PCs et Tablettes

RÉSUMÉ DE PRODUIT

VENTRES = 25°C

VALEUR TYPIQUE

UNITÉ

VDS

Vidangez à la tension de source

30

V

Qg

Total de charge de porte (4.5V)

6,3

OR

Qgd

Porte de charge de porte à vidanger

0,7

OR

RDD (dessus)

Vidangez pour vidanger sur la résistance (Q1+Q2)

VGS = 4.5V

31

mΩ

VGS = 8V

27

mΩ

VGS (Th)

Tension de seuil

1,0

V

L'INFORMATION DE COMMANDE

Dispositif

Paquet

Médias

Quantité

Bateau

CSD87312Q3E

FILS paquet en plastique de 3,3 x de 3.3mm

13-dans la bobine de ch

2500

Bande et bobine

CAPACITÉS ABSOLUES

VENTRES = 25°C

VALEUR

UNITÉ

VDS

Vidangez à la tension de source

30

V

VGS

Porte à la tension de source

+10/-8

V

Identification

(1) courant continu de drain, comité technique = 25°C

27

IDM

Courant pulsé de drain

(2)

45

Palladium

Dissipation de puissance

2,5

W

TJ, TSTG

Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage

– 55 à 150

°C

EAS

Énergie d'avalanche, identification simple =24A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion

29

MJ

DESCRIPTION

Le CSD87312Q3E est 30V une commun-source, double dispositif de N-canal conçu pour la protection d'entrée d'adaptor/USB. Ce FILS dispositif de 3,3 x de 3.3mm a le bas drain pour vidanger la sur-résistance qui réduit au maximum des pertes et offre le bas nombre de composants pour des applications de chargement de batterie de multi-cellule contraintes parespace.

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