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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Conducteur Circuit, transistors de transistor MOSFET de puissance de CSD25402Q3A 650 système mv de transistor MOSFET de puissance élevée

Conducteur Circuit, transistors de transistor MOSFET de puissance de CSD25402Q3A 650 système mv de transistor MOSFET de puissance élevée

Conducteur Circuit, transistors de transistor MOSFET de puissance de CSD25402Q3A 650 système mv de transistor MOSFET de puissance élevée
Conducteur Circuit, transistors de transistor MOSFET de puissance de CSD25402Q3A 650 système mv de transistor MOSFET de puissance élevée
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Mode de la Manche:
Amélioration
Configuration:
Simple
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 125 C
Th de Vgs - seuil Voltag de Porte-source:
650 système mv
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
8,9 mOhms
Point culminant:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introduction

Transistor MOSFET du transistor MOSFET P-CH PWR de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD25402Q3A


Caractéristiques 1

  • Qg et Qgd très réduits

  • Basse résistance thermique

  • Le bas RDS (dessus)

  • Pb et halogène libres

  • RoHS conforme

  • FILS 3,3 millimètres de × paquet en plastique de 3,3 millimètres

2 applications

  • Convertisseurs de DC-DC

  • Gestion de batterie

  • Commutateur de charge

  • Protection de batterie

Description 3

Ce – 20-V, transistor MOSFET de puissance de NexFETTM de 7,7 mΩ est conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de gestion de charge de conversion de puissance avec un FILS 3,3 millimètres de × le paquet de 3,3 millimètres qui offre une excellente représentation thermique pour la taille du dispositif.

Résumé de produit

VENTRES = 25°C

VALEUR TYPIQUE

UNITÉ

VDS

tension de Drain-à-source

– 20

V

Qg

Total de charge de porte (– 4,5 V)

7,5

OR

Qgd

Porte de charge de porte à vidanger

1,1

OR

Le RDS (dessus)

Drain-à-source sur la résistance

VGS = – 1,8 V

74

mΩ

VGS = – 2,5 V

13,3

mΩ

VGS = – 4,5 V

7,7

mΩ

Vth

Tension de seuil

– 0,9

V

L'information de commande (1)

DISPOSITIF

Quantité

MÉDIAS

PAQUET

BATEAU

CSD25402Q3A

2500

bobine 13-Inch

FILS 3,3 millimètres de × paquet en plastique de 3,3 millimètres

Bande et bobine

CSD25402Q3AT

250

bobine 7-Inch

Capacités absolues

VENTRES = 25°C

VALEUR

UNITÉ

VDS

tension de Drain-à-source

– 20

V

VGS

tension de Porte-à-source

+12 ou – 12

V

Identification

Courant continu de drain, comité technique = 25°C

– 76

Courant continu de drain (limite de paquet)

– 35

Courant continu de drain (1)

– 15

IDM

Courant pulsé de drain (2)

– 148

Palladium

Dissipation de puissance (1)

2,8

W

Dissipation de puissance, comité technique = 25°C

69

TJ

La température de jonction fonctionnante

– 55 à 150

°C

Tstg

Température de stockage

– 55 à 150

°C
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