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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Transistors de transistor MOSFET de puissance de CSD18540Q5B rf, transistor MOSFET de NexFET PWR de circuit de transistor MOSFET de la Manche de N

Transistors de transistor MOSFET de puissance de CSD18540Q5B rf, transistor MOSFET de NexFET PWR de circuit de transistor MOSFET de la Manche de N

Transistors de transistor MOSFET de puissance de CSD18540Q5B rf, transistor MOSFET de NexFET PWR de circuit de transistor MOSFET de la Manche de N
Transistors de transistor MOSFET de puissance de CSD18540Q5B rf, transistor MOSFET de NexFET PWR de circuit de transistor MOSFET de la Manche de N
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Mode de la Manche:
Amélioration
Configuration:
Simple
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 150 C
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
2,2 mOhms
2,2 mOhms:
100 A
Point culminant:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introduction

Transistor MOSFET 60V, transistor MOSFET de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD18540Q5B de NexFET PWR de N-canal

Caractéristiques 1

  • Qg et Qgd très réduits

  • Résistance Bas-thermique

  • Avalanche évaluée

  • Électrodéposition terminale sans plomb

  • RoHS conforme

  • Halogène libre

  • FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres

2 applications

  • Conversion de DC-DC

  • Redresseur synchrone latéral secondaire

  • Commutateur latéral primaire d'isolement de convertisseur

  • Contrôle de moteur

Description 3

Ce 1,8 mΩ, transistor MOSFET de puissance de 60-V NexFETTM est conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance avec un FILS 5 millimètres de × paquet de 6 millimètres.

Résumé de produit

VENTRES = 25°C

VALEUR TYPIQUE

UNITÉ

VDS

Tension de Drain-à-source

60

V

Qg

Total de charge de porte (10 V)

41

OR

Qgd

Porte-à-drain de charge de porte

6,7

OR

Le RDS (dessus)

Drain-à-source sur la résistance

VGS = 4,5 V

2,6

mΩ

VGS =10V

1,8

VGS (Th)

Tension de seuil

1,9

V

L'information de dispositif

DISPOSITIF

Quantité

MÉDIAS

PAQUET

BATEAU

CSD18540Q5B

2500

bobine 13-Inch

FILS 5,00 millimètres de × paquet en plastique de 6,00 millimètres

Bande et bobine

CSD18540Q5BT

250

bobine 7-Inch

Capacités absolues

VENTRES = 25°C

VALEUR

UNITÉ

VDS

Tension de Drain-à-source

60

V

VGS

Tension de Porte-à-source

±20

V

Identification

Courant continu de drain (Package Limited)

100

Courant continu de drain (Silicon Limited), comité technique = 25°C

205

Courant continu de drain (1)

29

IDM

Courant pulsé de drain, MERCI = 25°C (2)

400

Palladium

Dissipation de puissance (1)

3,8

W

Dissipation de puissance, comité technique = 25°C

188

TJ, Tstg

Jonction fonctionnante, température de stockage

– 55 à 175

°C

EAS

Énergie d'avalanche, identification simple =80A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion

320

MJ
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