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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > CSD18504Q5A N Channel Mos Field Effect Transistor 6.6 MOhms Logic Level RoHS Compliant

CSD18504Q5A N Channel Mos Field Effect Transistor 6.6 MOhms Logic Level RoHS Compliant

CSD18504Q5A N Channel Mos Field Effect Transistor 6.6 MOhms Logic Level RoHS Compliant
CSD18504Q5A N Channel Mos Field Effect Transistor 6.6 MOhms Logic Level RoHS Compliant
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Mode de la Manche:
Amélioration
Configuration:
Simple
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 150 C
Polarité de transistor:
N-canal
N-canal:
6,6 mOhms
Point culminant:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introduction

Transistor MOSFET de puissance de NexFET de N-canal du transistor MOSFET 40V de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD18504Q5A

Caractéristiques 1

  • Qg et Qgd très réduits

  • Basse résistance thermique

  • Avalanche évaluée

  • Niveau de logique

  • Électrodéposition terminale libre de Pb

  • RoHS conforme

  • Halogène libre

  • FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres

2 applications

  • Conversion de DC-DC

  • Redresseur synchrone latéral secondaire

  • Contrôle de moteur à accus

Description 3

Ce 5,3 mΩ, × du FILS 5 6 millimètres, transistor MOSFET de puissance de 40 V NexFETTM est conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance.

Résumé de produit

VENTRES = 25°C

VALEUR TYPIQUE

UNITÉ

VDS

Tension de Drain-à-source

40

V

Qg

Total de charge de porte (4,5 V)

7,7

OR

Qgd

Porte-à-drain de charge de porte

2,4

OR

Le RDS (dessus)

Sur-résistance de Drain-à-source

VGS = 4,5 V

7,5

mΩ

VGS =10V

5,3

mΩ

VGS (Th)

Tension de seuil

1,9

V

L'information de commande

Dispositif

Quantité

Médias

Paquet

Bateau

CSD18504Q5A

2500

bobine 13-Inch

FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres

Bande et bobine

CSD18504Q5AT

250

bobine 7-Inch

Capacités absolues

VENTRES = 25°C

VALEUR

UNITÉ

VDS

Tension de Drain-à-source

40

V

VGS

Tension de Porte-à-source

±20

V

Identification

Courant continu de drain (paquet limité)

50

Courant continu de drain (silicium limité), comité technique = 25°C

75

Courant continu de drain (1)

15

IDM

Courant pulsé de drain (2)

275

Palladium

Dissipation de puissance (1)

3,1

W

Dissipation de puissance, comité technique = 25°C

77

TJ, Tstg

Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage

– 55 à 150

°C

EAS

Énergie d'avalanche, identification simple =43A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion

92

MJ
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