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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Basse configuration simple du transistor de puissance de transistor MOSFET de la résistance CSD13381F4 N-CH PWR

Basse configuration simple du transistor de puissance de transistor MOSFET de la résistance CSD13381F4 N-CH PWR

Basse configuration simple du transistor de puissance de transistor MOSFET de la résistance CSD13381F4 N-CH PWR
Basse configuration simple du transistor de puissance de transistor MOSFET de la résistance CSD13381F4 N-CH PWR
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Mode de la Manche:
Amélioration
Configuration:
Simple
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 150 C
Catégorie de produit:
Transistor MOSFET
Fabricant:
Texas Instruments
Point culminant:

p channel mosfet driver circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introduction

Transistor MOSFET du transistor MOSFET 12V N-CH PWR de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD13381F4

Caractéristiques 1

  • Basse Sur-résistance

  • Bas Qg et Qgd

  • Basse tension de seuil

  • Ultra-petite empreinte de pas (taille de 0402 cas)

    – 1.0mm×0.6mm

  • Profil très réduit

– 0,35 millimètres de taille

  • Diode intégrée de protection d'ESD

    • – >4 évalué kilovolt HBM

    • – >2 évalué kilovolt CDM

  • Plomb et halogène libres

  • RoHS conforme

2 applications

  • Optimisé pour des applications de commutateur de charge

  • Optimisé pour des applications de changement d'usage universel

  • Applications de batterie unicellulaire

  • Applications tenues dans la main et mobiles

Description 3

Ce 140 mΩ, technologie de transistor MOSFET de FemtoFETTM de N-canal de 12 V sont conçus et optimisés pour réduire au minimum l'empreinte de pas dans beaucoup d'applications tenues dans la main et mobiles. Cette technologie est capable de remplacer de petits transistors MOSFET standard de signal tout en fournissant au moins une réduction de 60% d'encombrement.

Résumé de produit

VENTRES = 25°C

VALEUR TYPIQUE

UNITÉ

VDS

Tension de Drain-à-source

12

V

Qg

Total de charge de porte (4,5 V)

1060

PC

Qgd

Porte-à-drain de charge de porte

140

PC

Le RDS (dessus)

Sur-résistance de Drain-à-source

VGS = 1,8 V

310

mΩ

VGS = 2,5 V

170

mΩ

VGS = 4,5 V

140

mΩ

VGS (Th)

Tension de seuil

0,85

V

L'information de commande

Dispositif

Quantité

Médias

Paquet

Bateau

CSD13381F4

3000

bobine 7-Inch

Femto (0402) 1,0 millimètres X 0,6 millimètres d'avance de SMD moins

Bande et bobine

CSD13381F4T

250

Capacités absolues

VENTRES = 25°C sauf indication contraire

VALEUR

UNITÉ

VDS

Tension de Drain-à-source

12

V

VGS

Tension de Porte-à-source

8

V

Identification

Courant continu de drain, MERCI = 25°C (1)

2,1

IDM

Courant pulsé de drain, MERCI = 25°C (2)

7

IG

Courant continu de bride de porte

35

mA

Courant de bride de porte pulsée (2)

350

Palladium

Dissipation de puissance (1)

500

mW

Estimation d'ESD

Modèle de corps humain (HBM)

4

kilovolt

Modèle chargé de dispositif (CDM)

2

kilovolt

TJ, Tstg

Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage

– 55 à 150

°C

EAS

Énergie d'avalanche, impulsion simple identification = 7,4 A, L=0.1mH, RG =25Ω

2,7

MJ
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