Circuit de commutateur du transistor MOSFET BAV99,215, commutateur DBL 100V 215MA HS de circuit d'amplificateur de transistor MOSFET
Caractéristiques
Emballage:
Coupez la bande
Marque:
Nexperia
Type de produit:
Diodes - usage universel, puissance, commutation
Sous-catégorie:
Diodes et redresseurs
Poids spécifique:
0,000265 onces
Partie # noms d'emprunt:
BAV99 T/R
Point culminant:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
Introduction
Diodes de transistor de puissance du transistor MOSFET BAV99,215 - usage universel, puissance, commutateur DBL 100V 215MA HS de commutation
Description générale
Diodes de changement ultra-rapides, encapsulées en petits paquets en plastique Surface-montés du dispositif (SMD).
Caractéristiques et avantages
- Vitesse de changement élevée : ≤ 4 NS de trr
- Bas courant de fuite
- Petits paquets en plastique de SMD
- AEC-Q101 a qualifié
- Basse capacité : ≤ 1,5 PF de Cd
-
Tension inverse : ≤ 100 V DE VR
Applications
- Commutation ultra-rapide
- Protection inverse de polarité
- Commutation polyvalente
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