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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Transistor de transistor MOSFET de la Manche de 2N7002LT1G N, 115mA Mos Field Effect Transistor

Transistor de transistor MOSFET de la Manche de 2N7002LT1G N, 115mA Mos Field Effect Transistor

Transistor de transistor MOSFET de la Manche de 2N7002LT1G N, 115mA Mos Field Effect Transistor
Transistor de transistor MOSFET de la Manche de 2N7002LT1G N, 115mA Mos Field Effect Transistor
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti 225mW (merci) extérieur du N-canal 60 V 115mA (comité technique) SOT-23-3 (TO-236)
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Type de produit:
Transistor MOSFET
Sous-catégorie:
Transistors MOSFET
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 150 C
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
7,5 ohms
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:
1V
Point culminant:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introduction

N-canal du transistor MOSFET 60V 115mA de transistor de puissance du transistor MOSFET 2N7002LT1G

Caractéristiques

• préfixe 2V pour applications des véhicules à moteur et autres exigeant des conditions uniques de rupture de site et de contrôle ; AEC−Q101 a qualifié et PPAP capable (2V7002L)

• Ces dispositifs sont Pb−Free, l'halogène Free/BFR libre et sont RoHS conforme

ESTIMATIONS MAXIMUM

Estimation

Symbole

Valeur

Unité

Tension de Drain−Source

VDSS

60

Volts continu

Tension de Drain−Gate (RGS = 1,0 MW)

VDGR

60

Volts continu

Vidangez actuel
− continu comité technique = 25°C (− de note 1) continu comité technique = 100°C (− de note 1) pulsé (note 2)

Identification

IDENTIFICATION IDM

± 800 du ± 75 du ± 115

mAdc

Tension de Gate−Source
− continu
− Non−repetitive (Mme de ≤ 50 de tp)

VGS VGSM

± 40 du ± 20

Volts continu Vpk

CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES

Caractéristique

Symbole

Maximum

Unité

Panneau total de la dissipation FR−5 de dispositif (VENTRES de note 3) = 25°C
Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

Résistance thermique, Junction−to−Ambient

Palladium RqJA

225 1,8 556

mW mW/°C °C/W

Dissipation totale de dispositif
(Substrat d'alumine de note 4), MERCI = 25°C sous-sollicitent au-dessus de 25°C

Résistance thermique, Junction−to−Ambient

Palladium RqJA

300 2,4 417

mW mW/°C °C/W

Jonction et température de stockage

TJ, Tstg

− 55 +150

°C
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