Circuit de commutateur électrique de transistor MOSFET de BSZ100N06LS3G 50 W, circuit de commande de transistor MOSFET TSDSON-8 OptiMOS 3
Caractéristiques
Configuration:
Simple
Palladium - dissipation de puissance:
50W
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 150 C
Fabricant:
Infineon
Catégorie de produit:
Transistor MOSFET
Point culminant:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
Introduction
Transistor MOSFET N-ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 de transistor de puissance de transistor MOSFET de BSZ100N06LS3G
Caractéristiques
- Idéal pour la commutation et la synchronisation à haute fréquence. REC.
- Technologie optimisée pour des convertisseurs de DC/DC
- N-canal, niveau de logique
- l'avalanche 100% a examiné
- électrodéposition sans Pb ; RoHS conforme
- Qualifié selon JEDEC pour des applications de cible
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