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Circuit de commutateur électrique de transistor MOSFET de BSZ100N06LS3G 50 W, circuit de commande de transistor MOSFET TSDSON-8 OptiMOS 3

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Configuration:
Simple
Palladium - dissipation de puissance:
50W
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 150 C
Fabricant:
Infineon
Catégorie de produit:
Transistor MOSFET
Point culminant:

p channel mosfet driver circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introduction

Transistor MOSFET N-ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 de transistor de puissance de transistor MOSFET de BSZ100N06LS3G

Caractéristiques

  • Idéal pour la commutation et la synchronisation à haute fréquence. REC.
  • Technologie optimisée pour des convertisseurs de DC/DC
  • N-canal, niveau de logique
  • l'avalanche 100% a examiné
  • électrodéposition sans Pb ; RoHS conforme
  • Qualifié selon JEDEC pour des applications de cible

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