Transistor MOSFET N ch 100V 100A TDSON-8 de transistor de puissance de transistor MOSFET de BSC046N10NS3G
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
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Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Configuration:
Simple
Palladium - dissipation de puissance:
156 W
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 150 C
Mode de la Manche:
Amélioration
Qg - charge de porte:
63 OR
Point culminant:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Introduction
Transistor MOSFET N-ch 100V 100A TDSON-8 de transistor de puissance de transistor MOSFET de BSC046N10NS3G
Caractéristiques
• Basse charge même de porte pour des applications à haute fréquence
• Optimisé pour la conversion C.C-C.C
• N-canal, niveau normal
• Excellent produit de la charge X R DS de porte (dessus) (FOM)
• Basse sur-résistance même R DS (dessus)
• température de fonctionnement de 150 °C
• électrodéposition sans Pb d'avance ; RoHS conforme
• Qualifié selon JEDEC1) pour l'application de cible • sans halogène selon IEC61249-2-21
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