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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD19532Q5B 100V 4,0 MOhm N-ch NexFET

Transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD19532Q5B 100V 4,0 MOhm N-ch NexFET

Transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD19532Q5B 100V 4,0 MOhm N-ch NexFET
Transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD19532Q5B 100V 4,0 MOhm N-ch NexFET
Transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD19532Q5B 100V 4,0 MOhm N-ch NexFET
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-canal 100 V 100A (ventres) 3.1W (merci), 195W (comité technique) bâti 8-VSON-CLIP (5x6) de la surf
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Contact us
Méthode de paiement:
Paypal, Western Union, TTT
Caractéristiques
Mode de la Manche:
Amélioration
Configuration:
Simple
Température de fonctionnement minimum:
- 55 C
Température de fonctionnement maximum:
+ 150 C
Palladium - dissipation de puissance:
Palladium - dissipation de puissance
Point culminant:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introduction

Transistor MOSFET de puissance du mOhm N-ch NexFET du transistor MOSFET 100V 4,0 de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD19532Q5B

Caractéristiques 1

  • Basse résistance thermique

  • Avalanche évaluée

  • Électrodéposition terminale sans Pb

  • RoHS conforme

  • Halogène libre

  • FILS 5 millimètres de × paquet en plastique de 6 millimètres

2 applications

  • Redresseur synchrone pour les convertisseurs en différé et d'isolement de C.C de C.C

  • Contrôle de moteur

Description 3

Ce 100 V, 4 le mΩ, FILS transistor MOSFET de puissance de 5 de millimètre millimètres NexFETTM du × 6 sont conçus pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance.

Résumé de produit

VENTRES = 25°C

VALEUR TYPIQUE

UNITÉ

VDS

Tension de Drain-à-source

100

V

Qg

Total de charge de porte (10 V)

48

OR

Qgd

Porte de charge de porte à vidanger

8,7

OR

Le RDS (dessus)

Drain-à-source sur la résistance

VGS = 6 V

4,6

mΩ

VGS =10V

4

mΩ

VGS (Th)

Tension de seuil

2,6

V

L'information de commande (1)

Dispositif

Médias

Quantité

Paquet

Bateau

CSD19532Q5B

bobine 13-Inch

2500

FILS paquet en plastique de 5 x 6 millimètres

Bande et bobine

CSD19532Q5BT

bobine 13-Inch

250

Capacités absolues

VENTRES = 25°C

VALEUR

UNITÉ

VDS

Tension de Drain-à-source

100

V

VGS

Tension de Porte-à-source

±20

V

Identification

Courant continu de drain (paquet limité)

100

Courant continu de drain (silicium limité), comité technique = 25°C

140

Courant continu de drain (1)

17

IDM

Courant pulsé de drain (2)

400

Palladium

Dissipation de puissance (1)

3,1

W

Dissipation de puissance, comité technique = 25°C

195

TJ, Tstg

Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage

– 55 à 150

°C

EAS

Énergie d'avalanche, identification simple =74A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion

274

MJ
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