Ligne à grande vitesse de différence d'IC d'interface d'IC LVDS d'interface de SN65LVDS1DBVR SN65LVDS2DBVR UART
uart multiplexer ic
,uart level shifter ic
Ligne à grande vitesse de différence d'IC d'interface d'IC LVDS d'interface de SN65LVDS1DBVR SN65LVDS2DBVR UART
Caractéristiques 1
- Répond ou dépasse aux normes de la norme ANSI TIA/EIA-644
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Conçu pour signaler des taux (1) jusqu'à :
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– 630 Mbps pour des conducteurs
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– 400 Mbps pour des récepteurs
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Fonctionne à partir d'un 2.4-V à l'approvisionnement 3.6-V
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Disponible en paquets de SOT-23 et de SOIC
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L'Autobus-terminal ESD dépasse 9 kilovolts
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Signalisation différentielle de basse tension avec des tensions typiques de sortie de 350 système mv dans une charge 100-Ω
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Temps de retard de propagation
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– conducteur typique de 1,7 NS
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– récepteur typique de 2,5 NS
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Dissipation de puissance à 200 mégahertz
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– conducteur typique de 25 mW
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– récepteur typique de 60 mW
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Le récepteur de LVDT inclut la ligne arrêt
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Bas conducteur de niveau Input Is 5 - V de TTL de tension (LVTTL) tolérant
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Conducteur Is Output High-Impedance avec VCC<1>
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La sortie et les entrées de récepteur sont à grande impédance avec VCC < 1="">
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De sécurité à circuit ouvert de récepteur
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Seuil de tension différentielle à l'entrée moins de 100 système mv
2 applications
• Infrastructure sans fil
• Infrastructure de télécom
• Imprimante
Description 3
Les dispositifs SN65LVDS1, SN65LVDS2, et SN65LVDT2 sont modules de commande de ligne simple, de basse tension, différentiel et des récepteurs dans le paquet de transistor de petite taille-contour. Les sorties sont conformes à la norme TIA/EIA-644 et fournir une importance minimum de tension de sortie différentielle de 247 système mv dans une charge 100-Ω à signaler des taux jusqu'à 630 Mbps pour des conducteurs et à 400 Mbps pour des récepteurs.
Quand le dispositif SN65LVDS1 est utilisé avec un récepteur de LVDS (tel que le SN65LVDT2) dans une connexion point par point, des données ou les signaux de synchronisation peuvent être transmis au-dessus des traces ou des câbles de panneau de circuit imprimé aux hauts débits mêmes avec les émissions et la puissance électromagnétiques très basses. L'emballage, la puissance faible, le bas IEM, la tolérance élevée d'ESD, et le grand choix de tension d'alimentation font l'idéal de dispositif pour des applications à piles.
Les dispositifs SN65LVDS1, SN65LVDS2, et SN65LVDT2 sont caractérisés pour l'opération – de 40°C à 85°C.
L'information de dispositif
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NUMÉRO DE LA PIÈCE |
PAQUET |
TAILLE DU CORPS (NOM) |
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SN65LVDS1 |
SOIC (8) |
4,90 millimètres de × 3,91 millimètres |
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IVROGNE (5) |
2,90 millimètres de × 1,60 millimètres |
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SN65LVDS2 |
SOIC (8) |
4,90 millimètres de × 3,91 millimètres |
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IVROGNE (5) |
2,90 millimètres de × 1,60 millimètres |
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SN65LVDT2 |
SOIC (8) |
4,90 millimètres de × 3,91 millimètres |
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IVROGNE (5) |
2,90 millimètres de × 1,60 millimètres |
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