IOS programmable des LABORATOIRES 544 d'ICS Arria V GX 13688 de la logique 5AGXFB3H4F35I5
logic integrated circuits
,programmable logic array ic
IOS programmable des LABORATOIRES 544 d'ICS Arria V GX 13688 de la logique 5AGXFB3H4F35I5
- Résumé des caractéristiques pour des dispositifs d'Arria V
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Technologie transformatrice de 28 nanomètre de TSMC :
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Processus de la puissance faible d'Arria V GX, du GT, de SX, et de ST-28-nm (28LP)
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Processus de la haute performance d'Arria V GZ-28-nm (28HP)
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La plus basse puissance statique dans sa classe (moins de 1,2 W pour éléments logiques 500K (LEs) à
jonction 85°C dans des conditions typiques)
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Tension nominale de noyau de 0,85 V, de 1,1 V, ou de 1,15 V
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Emballage composé thermique de la puce à protubérance BGA
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Densités multiples de dispositif avec des empreintes de pas identiques de paquet pour la migration sans couture
entre différentes densités de dispositif
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Plombé (1), sans plomb (sans Pb), et RoHS-conformes options
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8 entrée augmentée ALM avec quatre registres
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Amélioré conduisant l'architecture pour réduire la congestion et pour améliorer le temps de compilation
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Blocs de mémoire de M10K-10-kilobits (Kb) avec le code de correction d'erreurs doux (CCE) (dispositifs d'Arria V GX, du GT, de SX, et de St seuls)
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Blocs de mémoire de M20K-20-Kb avec CCE dure (dispositifs d'Arria V GZ seuls)
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Le bloc de rangée de logique de mémoire (MLAB) - 640-bit a distribué LUTRAM où vous pouvez
utilisation jusqu'à 50% de l'aumône comme mémoire de MLAB
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485