Les amplificateurs audio de précision d'IC d'amplificateur de puissance de TLC277IDR conjuguent approvisionnement simple de précision
digital audio amplifier ic
,audio preamplifier ic
Les amplificateurs audio de précision d'IC d'amplificateur de puissance de TLC277IDR conjuguent approvisionnement simple de précision
Description (suite)
|
MERCI |
VIOmax au°C 25 |
DISPOSITIFS EMBALLÉS |
FORME DE PUCE (Y) |
||||
|
PETIT CONTOUR (D) |
SUPPORT INTERMÉDIAIRE (FK) |
IMMERSION EN CÉRAMIQUE (JG) |
IMMERSION EN PLASTIQUE (P) |
TSSOP (PICOWATT) |
|||
|
0°C à 70°c |
500 μV 2 système mv 5 système mv 10mV |
TLC277CD TLC272BCD TLC272ACD TLC272CD |
— — — — |
— — — — |
TLC277CP TLC272BCP TLC272ACP TLC272CP |
— |
— |
|
– 40°C à 85°C |
500 μV 2 système mv 5 système mv 10 système mv |
TLC277ID TLC272BID TLC272AID TLC272ID |
— — — — |
— — — — |
TLC277IP TLC272BIP TLC272AIP TLC272IP |
— — — — |
— — — — |
Le paquet de D est attaché du ruban adhésif disponible et tournoyé. Ajoutez le suffixe de R au type de dispositif (par exemple, TLC277CDR).
Généralement beaucoup de caractéristiques liées à la technologie bipolaire sont disponibles sur les amplificateurs opérationnels de de LinCMOS sans pénalités de puissance de technologie bipolaire. Des applications générales telles que l'interface de transducteur, les calculs analogues, les blocs d'amplificateur, les filtres actifs, et l'amortissement de signal sont facilement conçues avec le TLC272 et le TLC277. Les dispositifs montrent également l'opération de simple-approvisionnement de basse tension, les faisant idéalement adaptées aux applications à piles à distance et inaccessibles. La gamme de tension d'entrée de commun-mode inclut le rail négatif.
Un large éventail d'options de empaquetage est disponible, y compris des versions de petite taille-contour et de support intermédiaire pour des applications de système à haute densité.
Les entrées et sorties de dispositif sont conçues pour résister – à des courants de montée subite 100-mA sans verrou- soutenant.
Les TLC272 et les TLC277 incorporent les circuits internes d'ESD-protection qui empêchent des échecs fonctionnels aux tensions jusqu'à 2000 V aussi examinés sous MIL-STD-883C, la méthode 3015,2 ; cependant, le soin devrait être pris en manipulant ces dispositifs comme exposition à l'ESD peut avoir comme conséquence la dégradation de la représentation paramétrique de dispositif.
Les dispositifs de C-suffixe sont caractérisés pour l'opération de 0°C à 70°C. Les dispositifs de Je-suffixe sont caractérisés pour l'opération – de 40°C à 85°C. Les dispositifs de M-suffixe sont caractérisés pour l'opération sur la pleine température ambiante militaire – de 55°C à 125°C.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485