Bouchon d'IC de gestion de chemin de puissance de LT4363CDE-2#PBF LT4363HMS-2#PBF LT4363IMS-2#TRPBF avec la limite actuelle. Automatique-nouvelle tentative
microchip battery management
,battery charge management ic
Bouchon d'IC de gestion de chemin de puissance de LT4363CDE-2#PBF LT4363HMS-2#PBF LT4363IMS-2#TRPBF avec la limite actuelle. Automatique-nouvelle tentative
Caractéristiques
n résiste à des montées subites au-dessus de 100V avec VCC le grand choix de tension de fonctionnement de la bride n : 4V à 80V
tension réglable de bride de sortie de n
limite rapide de surintensité de n : Moins que 5μs
protection d'entrée d'inverse de n – à 60V
seuils réglables de comparateur de n UV/OV
bas courant de l'arrêt 7μA de n
arrêt Pin Withstands – 60V de n à 100V
minuterie réglable de défaut de n
n commande le transistor MOSFET de N-canal
n moins coefficient d'utilisation de nouvelle tentative de 1% pendant les défauts, LT4363-2
n disponible dans 12-Pin (× de 4mm 3mm) DFN, 12-Pin MSOP et 16-Pin empaquette AINSI
Applications
protection des véhicules à moteur/aéro-électronique/industrielle de n de montée subite
n SwapTM/chaud Live Insertion
commutateur latéral élevé de n pour les systèmes à piles
applications de sécurité intrinsèque de n
Description
Le bouchon de la montée subite LT®4363 protège des charges contre les coupures à haute tension. Il règle la sortie pendant un événement de surtension, tel que la décharge de charge dans des véhicules, en commandant la porte d'un transistor MOSFET externe de N-canal. La sortie est limitée à une valeur sûre permettant aux charges de continuer de fonctionner. Le LT4363 surveille également la chute de tension entre les goupilles de SNS et de SORTIE pour se protéger contre des défauts de surintensité. Un amplificateur interne limite la tension à travers la résistance actuelle de sens à 50mV. En l'un ou l'autre de condition de panne, une minuterie est inversement commencé proportionnelle à l'effort de transistor MOSFET. Avant que la minuterie expire, la goupille de VOL tire bas pour avertir de l'impend la puissance d'ing vers le bas. Si la condition persiste, le transistor MOSFET est arrêté. Le LT4363-1 reste jusqu'à la remise tandis que les reprises LT4363-2 après une période fraîche de bas.
Deux comparateurs de précision peuvent surveiller l'approvisionnement d'entrée pour des états (UV) de la surtension (OV) et du sousvoltage. Quand le potentiel est au-dessous du seuil UV, le transistor MOSFET externe est retenu. Si la tension d'alimentation d'entrée est au-dessus du seuil d'OV, on ne permet pas au le transistor MOSFET de revenir dessus. Des transistors MOSFET dos à dos peuvent être utilisés au lieu d'une diode de Schottky pour la protection inverse d'entrée, réduisant la chute de tension et la perte de puissance. Une goupille d'arrêt ramène le courant tranquille à moins que 7μA pendant l'arrêt.

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original

Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT

NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF

Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double

Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485
