Régulateurs de tension d'IC LDO de gestion de chemin de puissance de TPS73601DBVR NMOS sans chapeau 400mA
power management integrated circuit
,microchip battery management
Régulateurs de tension d'IC LDO de gestion de chemin de puissance de TPS73601DBVR NMOS sans chapeau 400mA
Caractéristiques 1
- Écurie sans le condensateur de sortie ou toute valeur ou type de condensateur
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Chaîne de tension d'entrée de 1,7 V à 5,5 V
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Tension très réduite d'abandon scolaire : type de 75 système mv
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Excellente coupure de charge Réponse-avec ou sans le condensateur facultatif de sortie
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La nouvelle topologie de NMOS fournit le bas courant inverse de fuite
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À faible bruit : type de 30 μVRMS (10 hertz à 100 kilohertz)
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0,5% exactitudes initiales
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Exactitude globale de 1% au-dessus de ligne, de charge, et de température
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Moins de 1 QI maximum de μA en mode d'arrêt
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Arrêt thermique et minute spécifique Max Current Limit Protection
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Disponible dans des versions à sorties multiples de tension
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– Sorties fixes de 1,20 V à 5,0 V
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– Sortie réglable de 1,20 V à 5,5 V
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– Sorties faites sur commande disponibles
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2 applications
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Équipement portatif/à piles
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Courrier-règlement pour les approvisionnements de changement
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Circuits sensibles au bruit tels que VCOs
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Point de règlement de charge pour DSPs, FPGAs, ASICs, et microprocesseurs
Description 3
La famille de TPS736xx des régulateurs de tension linéaires du bas-abandon scolaire (LDO) emploie une nouvelle topologie : un élément de passage de NMOS dans une configuration de tension-disciple. Cette topologie est stable utilisant des condensateurs de sortie avec le bas esr, et permet même l'opération sans condensateur. Elle fournit également le blocage inverse élevé (bas courant d'inverse) et le courant au sol de goupille qui est presque constant au-dessus de toutes les valeurs de courant de sortie.
Le TPS736xx emploie un processus avancé de BiCMOS pour rapporter la haute précision tout en fournissant les tensions très basses d'abandon scolaire et le bas courant au sol de goupille. La consommation actuelle, une fois non permise, est au-dessous de 1 μA et idéal pour des applications portatives. Extrêmement - le bas bruit de sortie (μVRMS 30 avec les 0,1 CNR de μF) est idéal pour actionner VCOs. Ces dispositifs sont protégés par arrêt thermique et limite actuelle rabattable.
L'information de dispositif
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NUMÉRO DE LA PIÈCE |
PAQUET |
TAILLE DU CORPS (NOM) |
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TPS736xx |
SOT-23 (5) |
2,90 millimètres X 1,60 millimètres |
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SOT-223 (6) |
6,50 millimètres X 3,50 millimètres |
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VSON (8) |
3,00 millimètres X 3,00 millimètres |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485