Régulateurs de tension de changement d'IC de gestion de chemin de puissance de TPS54318RTER 2.95-6Vin, 3A, écart-type DCDC Cnvrtr de 2MHz Synch

Régulateurs de tension de changement d'IC de gestion de chemin de puissance de TPS54318RTER 2.95-6Vin, 3A, écart-type DCDC Cnvrtr de 2MHz Synch

Caractéristiques 1

• Deux, 30 transistors MOSFET (typiques) de mΩ pour à haute efficacité aux charges 3-A

• Fréquence de changement : 200 kilohertz à 2 mégahertz

• Référence de tension au-dessus de la température : 0,8 ± 1% de V

• Synchronise à l'horloge externe

• Début doux réglable/ordonnancement

• Puissance-bonne sortie UV et d'OV

• Bas courant tranquille d'opération et d'arrêt

• Démarrage sûr dans la sortie de Prebiased

• Limite actuelle de Cycle-par-cycle, courant ascendant et protection rabattable de fréquence

• Température ambiante fonctionnante de jonction : – 40°C à 150°C

• 3 paquet thermiquement augmenté de la goupille WQFN du millimètre 16 du × 3 de millimètre

• Créez conçoivent en fonction du client utilisant le TPS54318 avec le concepteur de puissance de WEBENCH®

2 applications

• Systèmes d'alimentation de basse tension et à haute densité

• Règlement de Point-de-charge pour la haute performance DSPs, FPGAs, ASICs et microprocesseurs

Description 3

Le dispositif TheTPS54318 est un complet, 6-V, 3-A, convertisseur synchrone et dévolteur d'actuel-mode avec deux transistors MOSFET intégrés.

Le dispositif TPS54318 permet de petites conceptions en intégrant les transistors MOSFET, mettant en application le contrôle actuel de mode pour réduire le nombre de composants externe, réduisant la taille d'inducteur en permettant jusqu'à la fréquence 2-MHz de changement, et en réduisant au minimum l'empreinte de pas de dispositif avec un petit, 3 millimètres x 3 millimètres, thermiquement augmentés, paquet de QFN.

Le dispositif TPS54318 fournit au règlement précis pour un grand choix de charges une référence précise de tension de ±1% (VREF) au-dessus de la température.

L'efficacité est maximisée par les 30 transistors MOSFET intégrés de mΩ et un approvisionnement typique de 350 μA actuels. Utilisant la goupille d'en, le courant d'approvisionnement d'arrêt est réduit au μA 2 en entrant un mode d'arrêt.

Le lock-out de sousvoltage est intérieurement placé à 2,6 V, mais peut être augmenté en programmant le seuil avec un réseau de résistance sur permettent la goupille. La rampe de démarrage de tension de sortie est commandée par la goupille de doux-commencement. Un puissance-bon signal d'ouvert-drain indique que la sortie a lieu à moins de 93% à 107% de sa tension nominale. L'arrêt rabattable et thermique de fréquence protège le dispositif pendant un état de surintensité.

Pour plus de documentation de SWIFTTM, voyez le site Web de TI chez www.ti.com/swift.

L'information de dispositif