WS-Sr TPS53679 (d'IC PMIC de gestion de chemin de puissance de TPS53679RSBR partie VR13)
power management integrated circuit
,battery charge management ic
WS-Sr TPS53679 (d'IC PMIC de gestion de chemin de puissance de TPS53679RSBR partie VR13)
Caractéristiques 1
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Intel VR13 VID périodique (SVID) conforme
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Pleine caractéristique du serveur VR13 réglée comprenant Digital
Moniteur de puissance d'entrée
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Compensations programmables de boucle
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Configurable avec de la mémoire non-volatile (NVM) pour
Bas nombres de composants externes
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Calibrages actuels et rapports de phase individuelle
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Phase dynamique jetant avec programmable
Seuil actuel pour l'efficacité de linéarisation à la lumière
et charges lourdes
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Phase-s'ajouter rapide pour la réduction d'attérrissage trop court
(USR)
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VR12.0 arrière et VR12.5 compatibles
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DAC à 8 bits avec 5 sélectionnables système mv ou 10 système mv
Chaînes de résolution et de sortie de 0,25 V à 1,52 V ou 0,5 à 2,8125 V pour les canaux doubles
2 applications
• ASIC a besoin de doubles rails de puissance
• Configuration Driverless pour la commutation à haute fréquence efficace
• Entièrement compatible avec l'étape de puissance de NextFETTM de TI pour les solutions à haute densité
• Positionnement précis et réglable de tension
• Équilibrage breveté de phase d'AutoBalanceTM
• Sélectionnable, limite actuelle de la Par-phase 16 de niveau • Interface de système de PMBusTM pour la télémétrie de
Tension, actuel, puissance, température, et défaut
Conditions
• Transitions de tension de sortie dynamique avec
Taux de groupe programmables par l'intermédiaire de SVID ou de PMBus
Interface
• Chaîne de tension de conversion : 4,5 V à 17 V • Bas courant tranquille
• Puissance performante de processeur
Description 3
Le TPS53679 est entièrement un contrôleur dévolteur conforme de VR13 SVID avec les canaux doubles, la mémoire non-volatile intégrée (NVM), et l'interface de PMBusTM, et est entièrement compatible avec l'étape de NexFET TMpower de TI. Les caractéristiques de contrôle avancé telles que l'architecture de D-CAP+TM avec la réduction d'attérrissage trop court (USR) fournissent la réponse passagère rapide, la basse capacité de sortie, et bon partager actuel. Le dispositif fournit également la stratégie nouvelle d'interfoliage de phase et la phase dynamique jetant pour l'amélioration d'efficacité à différentes charges. Contrôle réglable du taux et de la tension de groupe de VCORE plaçant le rond les caractéristiques d'Intel® VR13TM. En outre, le dispositif soutient l'interface de communication de PMBus pour rapporter la télémétrie de la tension, du courant, de la puissance, de la température, et des conditions de panne aux systèmes. Tous les paramètres programmables peuvent être configurés par l'interface de PMBus et peuvent être stockés dans la NVM comme nouvelles valeurs par défaut pour réduire au minimum le nombre de composants externe.
Le dispositif TPS53679 si offert dans - la goupille QFN a empaqueté et est évaluée pour fonctionner à partir – un 40°C thermiquement augmenté à 125°C.
Tableau 1-1. L'information de dispositif
| NUMÉRO DE LA PIÈCE | PAQUET | TAILLE DU CORPS |
| TPS53679 | QFN (40) | 5 millimètres de × 5 millimètres |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485