Transistor à haute tension MMBT5551 d'amplificateur d'usage universel du silicium NPN
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor (BJT) bipolaire NPN 160 V 600 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23-3 de 350 mW
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Bargain
Méthode de paiement:
T/T
Caractéristiques
Description:
Transistors bipolaires - BJT SOT23, NPN, 0.6A, 160V, HighVolt
TYPE:
Transistors bipolaires - BJT
Nom:
Transistors
Numéro de la pièce:
MMBT5551
Paquet:
SOT-23-3
Commande:
Accueil
Point culminant:
MMBT5551 High Voltage Transistor
,NPN Amplifier High Voltage Transistor
,NPN Silicon High Voltage Transistor
Introduction
SOT-23 - Transistor de puissance et DarliCM GROUPons
Numéro de la pièce
BC807-T CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T CMBT3906 CMBTA56 CMBTA42-T CMBT4401-T
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-T CMBT3904-T CMBTA92-T
CMBTA06-T CMBT5401-T CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551
Caractéristiques électriques
|
Mfr. # |
MMBT5551 |
| Montage du style | SMD/SMT |
| Polarité de transistor | NPN |
| Configuration | Simple |
| Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum | 160 V |
| Tension de collecteur-base VCBO | 180 V |
| Tension basse VEBO d'émetteur | 6 V |
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | 0,2 V |
| Courant de collecteur maximum de C.C | 0,6 A |
| Palladium - dissipation de puissance | 325 mW |
| Produit pi de largeur de bande de gain | 300 mégahertz |
| Température de fonctionnement minimum | - 55 C |
| Température de fonctionnement maximum | + 150 C |
| Collecteur de C.C/minute de référence de hfe de gain | 80 à 10 mA, 5 V |
| HFE de gain actuel de C.C maximum | 250 à 10 mA, 5 V |
| Type de produit | BJTs - transistors bipolaires |
Caractéristiques électriques (aux ventres =°C 25 sauf indication contraire)
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Courant:
MOQ:
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