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Taïwan Semiconductor Corporation

Taïwan Semiconductor Corporation
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Introduction

Taïwan Semiconductor Corporation

Les produits les plus
Image partie # Description fabricant Courant RFQ
BAT54C Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine

BAT54C Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine

Rangée de diode bâti commun TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de la cathode 30 V 200mA (C.C) de 1
BAS316 puce IC électronique neuve et originale

BAS316 puce IC électronique neuve et originale

Bâti extérieur SOD-323 de la diode 100 V 250mA
BC848B Inducteur variable Nouveau et original de stock Certification ROHS

BC848B Inducteur variable Nouveau et original de stock Certification ROHS

Transistor (BJT) bipolaire NPN 30 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
BAT54SW Diode haute tension neuve et d'origine

BAT54SW Diode haute tension neuve et d'origine

Rangée de diode bâti SC-70, SOT-323 de surface de la connexion de série de 1 paire 30 V 200mA (C.C)
BAT54A Diode haute tension neuve et d'origine

BAT54A Diode haute tension neuve et d'origine

Rangée de diode bâti commun TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de l'anode 30 V 200mA (C.C) de 1 pa
BAS316 Diode à puce NOUVEAUTE ET ORIGINALE

BAS316 Diode à puce NOUVEAUTE ET ORIGINALE

Bâti extérieur SOD-323 de la diode 100 V 250mA
BAT54SW RÉSERVE NOUVEAU ET ORIGINAL

BAT54SW RÉSERVE NOUVEAU ET ORIGINAL

Rangée de diode bâti SC-70, SOT-323 de surface de la connexion de série de 1 paire 30 V 200mA (C.C)
BAT54W ÉTANTS NOUS et originaux

BAT54W ÉTANTS NOUS et originaux

Bâti extérieur SOT-323 de la diode 30 V 200mA
BC846B Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

BC846B Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

Transistor (BJT) bipolaire NPN 65 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
Transistor à effet de champ BAV99W NOUVEAU ET ORIGINAL

Transistor à effet de champ BAV99W NOUVEAU ET ORIGINAL

Réseau de diodes 1 paire Connexion en série 75 V 150mA Montage en surface SC-70, SOT-323
BC807-16 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

BC807-16 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

Bipolaire (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 100 MHz 300 mW Montage en surface SOT-23
BC807-16W Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

BC807-16W Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

Transistor bipolaire (BJT) PNP 45 V 500 mA 80 MHz 200 mW Montage en surface SOT-323
BC807-25 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

BC807-25 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

Bipolaire (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 100 MHz 300 mW Montage en surface SOT-23
BC807-40 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

BC807-40 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

Bipolaire (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 100 MHz 300 mW Montage en surface SOT-23
BC817-16 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

BC817-16 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 500 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 300 mW
BC817-16W Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

BC817-16W Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 500 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
BC817-25 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

BC817-25 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 500 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 300 mW
BC817-40 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

BC817-40 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 500 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 300 mW
BC846B Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

BC846B Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

Transistor (BJT) bipolaire NPN 65 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
BC848B Transistor haute fréquence Nouveau et original

BC848B Transistor haute fréquence Nouveau et original

Transistor (BJT) bipolaire NPN 30 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
BC856B Transistor haute tension Nouveau et original

BC856B Transistor haute tension Nouveau et original

Transistor (BJT) bipolaire PNP 65 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
BC857A stock nouveau et original

BC857A stock nouveau et original

Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
BC857C stock nouveau et original

BC857C stock nouveau et original

Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
BC858B stock nouveau et original

BC858B stock nouveau et original

Transistor (BJT) bipolaire PNP 30 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW