Filtres
Filtres
Composants électroniques
Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
---|---|---|---|---|---|---|
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-30CPH03PBF |
Matrice de diodes 1 paire de cathodes communes 300 V 15 A Trou traversant TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRF4905STRLPBF |
Bâti D2PAK de la surface 170W (comité technique) du P-canal 55 V 42A (comité technique)
|
Infineon
|
|
|
||
ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7316TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti extérieur 8-SO de la rangée 30V 4.9A 2W de transistor MOSFET
|
Infineon
|
|
|
||
ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7842TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti 2.5W (merci) extérieur du N-canal 40 V 18A (ventres) 8-SO
|
Infineon
|
|
|
||
ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7105TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Rangée 25V 3.5A, bâti extérieur 8-SO de transistor MOSFET de 2.3A 2W
|
Infineon
|
|
|
||
ACTIONS de transistor à effet de champ SI7615ADN-T1-GE3 NOUVELLES ET ORIGINALES |
P-canal 20 V 35A (comité technique) 3.7W (merci), bâti 52W (comité technique) extérieur PowerPAK® 12
|
VISHAY
|
|
|
||
ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP264PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 250 V 38A (comité technique) 280W (comité technique) par le trou TO-247AC
|
VISHAY
|
|
|
||
ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP460LCPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 500 V 20A (comité technique) 280W (comité technique) par le trou TO-247AC
|
VISHAY
|
|
|
||
ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFPG50PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 1000 V 6.1A (comité technique) 190W (comité technique) par le trou TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
||
ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP3206PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 60 V 120A (comité technique) 280W (comité technique) par le trou TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
||
Transistor à effet de champ IRFP4710PBF Nouveau et original |
N-canal 100 V 72A (comité technique) 190W (comité technique) par le trou TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
||
ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP7430PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 40 V 195A (comité technique) 366W (comité technique) par le trou TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
||
ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP22N50APBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 500 V 22A (comité technique) 277W (comité technique) par le trou TO-247AC
|
VISHAY
|
|
|
||
ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP064VPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 60 V 130A (comité technique) 250W (comité technique) par le trou TO-247AC
|
Infineon
|
|
|
||
BTA06-600BWRG Réserves nouvelles et originales |
Alternistor TRIAC - sans détecteur de bruit 600 V 6 A à travers le trou TO-220
|
STMicroelectronics
|
|
|
||
BTA06-600CWRG Réserves neuves et originales |
Alternistor TRIAC - sans détecteur de bruit 600 V 6 A à travers le trou TO-220
|
STMicroelectronics
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRF840STRLPBF |
N-canal 500 V 8A (comité technique) 3.1W (merci), 125W (comité technique) ² PAK (TO-263) du bâti D d
|
VISHAY
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-ETX0806FP-M3 |
Diode 600 V 8A par le plein paquet du trou TO-220-2
|
VISHAY
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-ETU1506FP-M3 |
Diode 600 V 15A par le plein paquet du trou TO-220-2
|
VISHAY
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFH8318TRPBF |
N-canal 30 V 27A (ventres), 120A (comité technique) 3.6W (merci), 59W (comité technique) bâti PQFN (
|
Infineon
|
|
|
||
Diode rectificateur de type pont SMD Avalanche ultra rapide, BYG20J-E3/TR |
Bâti extérieur DO-214AC (SMA) de la diode 600 V 1.5A
|
VISHAY
|
|
|
||
TLP621-2 Mémoire de programme de puce de circuit intégré IC |
Le transistor d'optoisolant a produit 5300Vrms 2 la Manche 8-DIP
|
Produit de fabrication
|
|
|
||
Diode rectificateur de type pont 1N4007 50 à 1000 volts 1,0 ampère |
Diode 1000 V 1A par le trou DO-41
|
On Semi / Catalyseur Semi
|
|
|
||
Diodes Zener passivées de verre au silicium de 1,0 Watt Diodes Zener passivées de verre à jonction |
Diode Zener 5,1 V 1 W ±5% par le trou DO-41
|
On Semi / Catalyseur Semi
|
|
|
||
NDT456P Transistors à effet de champ à diode rectificatrice mode d'amélioration du canal P |
Le moteur de l'appareil doit être équipé d'un moteur de commande à commande automatique.
|
On Semi / Catalyseur Semi
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SFH628A-3X001 |
Le transistor d'optoisolant a produit 5300Vrms 1 la Manche 4-DIP
|
VISHAY
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SFH615A-2 |
Le transistor d'optoisolant a produit 5300Vrms 1 la Manche 4-DIP
|
VISHAY
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-12CWQ10FNTR-M3 |
Barrette de diodes 1 paire cathode commune 100 V 6A montage en surface TO-252-3, DPak (2 fils + lang
|
VISHAY
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SIHP18N50C-E3 |
N-canal 500 V 18A (comité technique) 223W (comité technique) par le trou TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SIHP12N50C-E3 |
N-canal 500 V 12A (comité technique) 208W (comité technique) par le trou
|
VISHAY
|
|
|
||
ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFD110PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 100 V 1A (ventres) 1.3W (ventres) par le trou 4-HVMDIP
|
VISHAY
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SFH615A-2 |
Le transistor d'optoisolant a produit 5300Vrms 1 la Manche 4-DIP
|
VISHAY
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE GBU608 |
Norme monophasé de pont redresseur 800 V par le trou GBU
|
DIODES
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-MUR3020WTPBF |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 200 V 15A par le trou TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFBG30PBF |
N-canal 1000 V 3.1A (comité technique) 125W (comité technique) par le trou TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFBE30PBF |
N-canal 800 V 4.1A (comité technique) 125W (comité technique) par le trou TO-220AB
|
Produit de fabrication
|
|
|
||
ACTIONS de transistor à effet de champ de V30100C-E3/4W NOUVELLES ET ORIGINALES |
Matrice de diodes 1 paire de cathodes communes 100 V 15 A Trou traversant TO-220-3
|
VISHAY
|
|
|
||
ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRGS10B60KDTRRP NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti extérieur D2PAK d'IGBT TNP 600 V 22 A 156 W
|
Infineon
|
|
|
||
IRF1407PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 75 V 130A (comité technique) 330W (comité technique) par le trou TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
||
IRF1404PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 40 V 202A (Tc) 333W (Tc) à travers le trou TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-MBR6045WTPBF |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 45 V 30A par le trou TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE 2W10G-E4/51 |
Norme monophasé de pont redresseur 1 kilovolt par le MÉTÈQUE de trou
|
VISHAY
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFR1018ETRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 110W (comité technique) du N-canal 60 V 56A (comité technique)
|
Infineon
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SIHF12N50C-E3 |
N-canal 500 V 12A (comité technique) 36W (comité technique) par le plein paquet du trou TO-220
|
VISHAY
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-HFA30PA60CPBF |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 600 V 15A (C.C) par le trou TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFR7540TRPBF |
Bâti D-PAK (TO-252AA) de la surface 140W (comité technique) du N-canal 60 V 90A (comité technique)
|
Infineon
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFR3806TRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 71W (comité technique) du N-canal 60 V 43A (comité technique)
|
Infineon
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFR5305TRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 110W (comité technique) du P-canal 55 V 31A (comité technique)
|
Infineon
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFU120NPBF |
N-canal 100 V 9.4A (comité technique) 48W (comité technique) par le trou IPAK (TO-251AA)
|
Infineon
|
|
|
||
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFU5410PBF |
P-canal 100 V 13A (comité technique) 66W (comité technique) par le trou IPAK (TO-251AA)
|
Infineon
|
|
|