Filtres
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Composants électroniques
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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IRG4IBC20UDPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
IGBT 600 V A 11,4 34 W par le trou TO-220AB Plein-PAK
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Infineon
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IRLML2502TRPBF Transistor à effet de champ |
Bâti 1.25W (merci) extérieur du N-canal 20 V 4.2A (ventres) Micro3™/SOT-23
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Infineon
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Transistor à effet de champ VS-ETH1506S-M3 NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti extérieur TO-263AB (² PAK de la diode 600 V 15A de D)
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VISHAY
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IRG4PC50UDPBF Transistor à effet de champ |
IGBT 600 V 55 A 200 W par le trou TO-247AC
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRG4PF50WPBF NOUVEAU ET ORIGINAL |
IGBT 900 V 51 A 200 W par le trou TO-247AC
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Infineon
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IRF3710STRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti D2PAK de la surface 200W (comité technique) du N-canal 100 V 57A (comité technique)
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Infineon
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IRLML0060TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti 1.25W (merci) extérieur du N-canal 60 V 2.7A (ventres) Micro3™/SOT-23
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Infineon
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IRG4PC50KDPBF Transistor à effet de champ |
IGBT 600 V 52 A 200 W par le trou TO-247AC
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Produit de fabrication
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IRF640PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) à travers le trou TO-220AB
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VISHAY
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CDSOT23-SM712 carte de circuit imprimé de programmation de puces RS-485 |
26V, 14V Serrage 17A (8/20μs) Ipp Tvs Monture de diode de surface SOT-23-3
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BOURNS
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TIL117M Composants électroniques mémoire de programme de puce de circuit intégré |
Transistor optoisolant avec sortie de base 7500Vpk 1 canal 6-DIP
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On Semi / Catalyseur Semi
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NT1 - NT1 - NT1 - NT1 - NT1 - NT1 - NT1 - NT1 - NT1 - NT1 - NT1 - NT1 - NT1 |
SCR 500 V 4 Une porte sensible à travers le trou TO-220AB
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fait dans la porcelaine
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-HFA25TB60PBF |
Diode 600 V 25A par le trou TO-220AC
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VISHAY
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PDTC144ET Diode à puce NOUVEAUTE et d'origine |
Transistors bipolaires pré-biasés (BJT)
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VISHAY
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IRFS4115TRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti D2PAK de la surface 375W (comité technique) du N-canal 150 V 195A (comité technique)
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Infineon
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V40150C-E3/4W Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 150 V 20A par le trou TO-220-3
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VISHAY
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IRLML0030TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti 1.3W (merci) extérieur du N-canal 30 V 5.3A (ventres) Micro3™/SOT-23
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Infineon
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2N7002BKS, 115 STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti 6-TSSOP de la surface 295mW de la rangée 60V 300mA (ventres) de transistor MOSFET
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Nexperia
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRF830BPBF |
N-canal 500 V 5.3A (comité technique) 104W (comité technique) par le trou TO-220AB
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE S3D-E3/57T |
Bâti extérieur DO-214AB (SMC) de la diode 200 V 3A
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SI3456DDV-T1-GE3 |
N-canal 30 V 6.3A (comité technique) 1.7W (merci), bâti 6-TSOP de la surface 2.7W (comité technique)
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SUP85N03-04P-E3 |
N-canal 30 V 85A (comité technique) 3.75W (merci), 166W (comité technique) par le trou TO-220AB
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRF8736TRPBF |
Bâti 2.5W (merci) extérieur du N-canal 30 V 18A (ventres) 8-SO
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Infineon
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BAS516 stock nouveau et original |
Bâti extérieur SOD-523 de la diode 75 V 250mA
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Semi-conducteurs à arc de bonne qualité
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SIR688DP-T1-GE3 Transistor à effet de champ |
N-canal 60 V 60A (comité technique) 5.4W (merci), bâti PowerPAK® SO-8 de la surface 83W (comité tech
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VISHAY
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IRF3205ZPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 55 V 75A (comité technique) 170W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRF3205PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 55 V 110A (comité technique) 200W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRF3710ZPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 100 V 59A (comité technique) 160W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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BYG10M-E3/TR Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Bâti extérieur DO-214AC (SMA) de la diode 1000 V 1.5A
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VISHAY
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IRF2807PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 75 V 82A (comité technique) 230W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRF2804STRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti D2PAK de la surface 300W (comité technique) du N-canal 40 V 75A (comité technique)
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Infineon
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IRF2805STRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti D2PAK de la surface 200W (comité technique) du N-canal 55 V 135A (comité technique)
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Infineon
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IRF2804PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 40 V 75A (comité technique) 300W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRFS4310ZTRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti D2PAK de la surface 250W (comité technique) du N-canal 100 V 120A (comité technique)
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Infineon
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IRFS7530TRLPBF Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Bâti PG-TO263-2 de la surface 375W (comité technique) du N-canal 60 V 195A (comité technique)
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Infineon
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IRFS4127TRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti D2PAK de la surface 375W (comité technique) du N-canal 200 V 72A (comité technique)
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRFS38N20DTRLP |
N-canal 200 V 43A (comité technique) 3.8W (merci), bâti D2PAK de la surface 300W (comité technique)
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Infineon
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IRFS3607TRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti D2PAK de la surface 140W (comité technique) du N-canal 75 V 80A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE DMG3415U-7 |
Bâti 900mW (merci) extérieur du P-canal 20 V 4A (ventres) SOT-23-3
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DIODES
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SMAJ48A-E3/61 |
77.4V bâti extérieur DO-214AC (SMA) de diode de la bride 5.2A PIP TV
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE P6SMB24A-E3/52 |
33.2V Pince 18.1A Ipp Tvs Diode Montage en surface DO-214AA (SMB)
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VISHAY
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VS-EPH3006-F3 stock nouveau et original |
Diode 600 V 30A Traversant TO-247AC Modifié
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE 43CTQ100 |
Matrice de diodes 1 paire de cathodes communes 100 V 20 A Trou traversant TO-220-3
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFH5215TRPBF |
Canal N 150 V 5 A (Ta), 27 A (Tc) 3,6 W (Ta), 104 W (Tc) Montage en surface PQFN (5x6)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFHM830TRPBF |
Canal N 30 V 21 A (Ta), 40 A (Tc) 2,7 W (Ta), 37 W (Tc) Montage en surface 8-PQFN-Dual (3,3 x 3,3)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7301TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti extérieur 8-SO de la rangée 20V 5.2A 2W de transistor MOSFET
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7451TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti 2.5W (merci) extérieur du N-canal 150 V 3.6A (ventres) 8-SO
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFH5015TRPBF |
Canal N 150 V 10 A (Ta), 56 A (Tc) 3,6 W (Ta), 156 W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFH4253DTRPBF |
Mosfet Array 25V 64A, 145A 31W, 50W Montage en surface PQFN (5x6)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-30CPQ100PBF |
Matrice de diodes 1 paire de cathodes communes 100 V 15 A Trou traversant TO-247-3
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VISHAY
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