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Transistor MOSFET de SuperMESHPower Zener-protégé parCANAL de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance de smd⑩ de P10NK80ZFP

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-canal 800 V 9A (comité technique) 40W (comité technique) par le trou TO-220FP
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Drain-source Voltage (VGS = 0):
800 V
tension de Drain-porte (RGS = kΩ 20):
800 V
Tension de source de porte:
± 30 V
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=1.5KΩ):
4 KV
Pente maximale de tension de récupération de diode:
4,5 V/ns
Operating Junction Temperature:
-55 to 150 °C
Point culminant:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introduction

STP10NK80Z - STP10NK80ZFP STW10NK80Z

Le N-CANAL 800V - 0.78Ω - 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-a protégé le transistor MOSFET de SuperMESH™Power

TYPE VDSS Le RDS (dessus) Identification Picowatt

STP10NK80Z

STP10NK80ZFP

STW10NK80Z

800 V

800 V

800 V

< 0="">

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9 A

9 A

9 A

160 W

40 W

160 W

■Le RDS TYPIQUE (dessus) = 0,78 Ω

■CAPACITÉ EXTRÊMEMENT ÉLEVÉE de dv/dt

■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ

■LA CHARGE DE PORTE A RÉDUIT AU MINIMUM

■BASSES CAPACITÉS INTRINSÈQUES MÊMES

■BON REPEATIBILITY DE FABRICATION MÊME

DESCRIPTION

La série de SuperMESH™ est obtenue par une optimisation extrême de la disposition stripbased bien établie de PowerMESH™ du St. En plus d'abaisser la sur-résistance sensiblement, le soin spécial est pris pour assurer une capacité très bonne de dv/dt pour les applications les plus exigeantes. Une telle série complète la gamme complète de St des transistors MOSFET à haute tension comprenant les produits révolutionnaires de MDmesh™.

APPLICATIONS

COMMUTATION À FORTE INTENSITÉ ET À GRANDE VITESSE

■ALIMENTATIONS D'ÉNERGIE DE MODE DE COMMUTATEUR

■CONVERTISSEURS DE DC-AC POUR LA SOUDURE, L'UPS ET LA COMMANDE DE MOTEUR

CAPACITÉS ABSOLUES

Symbole Paramètre Valeur Unité
STP10NK80Z STP10NK80ZFP STW10NK80Z
VDS tension de Drain-source (VGS = 0) 800 V
VDGR tension de Drain-porte (RGS = kΩ 20) 800 V
VGS Tension de source de porte ± 30 V
Identification Vidangez actuel (continu) à comité technique = 25°C 9 9 (*) 9
Identification Vidangez actuel (continu) à comité technique = 100°C 6 6 (*) 6
IDM (? •?) Courant de drain (pulsé) 36 36 (*) 36
PTOT Dissipation totale à comité technique = 25°C 160 40 160 W
Sous-sollicitation du facteur 1,28 0,32 1,28 W/°C
VESD (G-S) Source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de porte 4 Kilovolt
dv/dt (1) Pente maximale de tension de récupération de diode 4,5 V/ns
VISO Tension de tenue d'isolation (C.C) - 2500 - V

Tj

Tstg

La température de jonction fonctionnante

Température de stockage

-55 à 150

-55 à 150

°C

°C

(? •?) durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre

(1) ISD ≤9A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) SAD, ≤ TJMAX de VDD de Tj.

(*) a limité seulement par la température maximale laissée.

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Q'ty MFG D/C Paquet
BD82Q57 SLGZW 423 INTEL 10+ BGA
X28HC64P-12 2500 XICOR 13+ DIP-28
8909000938* 1024 BOSCH 14+ QFP
8905507184* 1013 BOSCH 15+ QFP
M48T08-150PC1 3594 St 14+ IMMERSION
LM318N 4965 NSC 14+ DIP-8
NTD2955-1G 4500 SUR 14+ TO-251
PCF7936AS 2700 14+ IVROGNE
LPV358MX 6254 14+ SOP-8
XC5VSX50T-1FFG665I 178 XILINX 10+ BGA
PCF7935AS 2780 16+ IVROGNE
LTC4413EDD#TRPBF 6259 LINÉAIRE 10+ QFN
LPC1114FBD48/302 2731 15+ QFP
NC7SZ175P6X 38000 FAIRCHILD 16+ SC70-6
LM340T-12 10000 NSC 15+ TO-220
MAX6301CSA+T 4137 MAXIME 16+ CONCESSION
MAX3232ECAE+T 11300 MAXIME 16+ SSOP
XR2206CP 4000 EXAR 14+ DIP-16
OPA544T 7920 TI 14+ TO-220
PCA9517DR 12120 TI 14+ CONCESSION
MC1455P1G 8399 SUR 15+ IMMERSION

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