Transistor MOSFET audio planaire épitaxial 2SB1560, de puissance du silicium PNP
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Transistor MOSFET audio planaire épitaxial 2SB1560, de puissance du silicium PNP
DarliCM GROUPon 2SB1560
Transistor planaire épitaxial du silicium PNP (complément pour dactylographier 2SD2390)
PIN | DESCRIPTION |
1 | Base |
2 | Collecteur ; relié à montage de la base |
3 | Émetteur |
SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | VALEUR | UNITÉ |
VCBO | Tension de collecteur-base | Émetteur ouvert | -160 | V |
VCEO | Tension de collecteur-émetteur | Base ouverte | -150 | V |
VEBO | tension d'Émetteur-base | Collecteur ouvert | -5 | V |
IC | Courant de collecteur | -10 | ||
IB | Courant bas | 1 | ||
PC | Dissipation de puissance de collecteur | Comité technique =25℃ | 100 | W |
Tj | La température de jonction | 150 | ℃ | |
Tstg | Température de stockage | -55~150 | ℃ |
SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | MINUTE | TYPE. | Max | UNITÉ |
PRÉSIDENT DE V (BR) | Tension claque de collecteur-émetteur | IC =-30mA ; IB =0 | -150 | V | ||
VCEsat | Tension de saturation de collecteur-émetteur | IC =-7A ; IB =-7mA | -2,5 | V | ||
VBEsat | Tension de saturation d'émetteur de base | IC =-7A ; IB =-7mA | -3,0 | V | ||
ICBO | Courant de coupure de collecteur | VCB =-160V ; IE =0 | -100 | μA | ||
IEBO | Courant de coupure d'émetteur | VEB =-5V ; IC =0 | -100 | μA | ||
hFE | Gain actuel de C.C | IC =-7A ; VCE =-4V | 5000 | |||
Épi | Capacité de sortie | IE =0 ; VCB =10V ; f=1MHz | 230 | PF | ||
pi | Fréquence de transition | IC =-2A ; VCE =-12V | 50 | Mégahertz | ||
Périodes de changement | ||||||
tonne | Temps d'ouverture |
IC =-7A ; RL =10Ω |
0,8 | μs | ||
solides totaux | Temps d'entreposage | 3,0 | μs | |||
tf | Temps de chute | 1,2 | μs |
O | P | Y |
5000-12000 | 6500-20000 | 15000-30000 |
CONTOUR DE PAQUET