Transistor planaire épitaxial du silicium PNP, transistor MOSFET audio de la puissance 2SB1560
Caractéristiques
Open emitter:
-160 V
Open base:
-150 V
Open collector:
-5 V
TC=25℃:
100 W
Point culminant:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Introduction
Transistor planaire épitaxial du silicium PNP, transistor MOSFET audio de la puissance 2SB1560
DESCRIPTION
·Avec le paquet de TO-3PN
·Complément pour dactylographier 2SD2390
APPLICATIONS
·Audio, régulateur et usage universel
GOUPILLER
PIN | DESCRIPTION |
1 | Base |
2 | Collecteur ; relié à monter la base |
3 | Émetteur |
Capacités absolues (Ta=℃)
SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | VALEUR | UNITÉ |
VCBO | Tension de collecteur-base | Émetteur ouvert | -160 | V |
VCEO | Tension de collecteur-émetteur | Base ouverte | -150 | V |
VEBO | tension d'Émetteur-base | Collecteur ouvert | -5 | V |
IC | Courant de collecteur | -10 | ||
IB | Courant bas | 1 | ||
PC | Dissipation de puissance de collecteur | TC=25℃ | 100 | W |
Tj | La température de jonction | 150 | ℃ |
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Courant:
MOQ:
20