IRFP4229PBF Puissance Mosfet Transistor commutation puissance mosfet PDP COMMUTATEUR
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC
Catégorie:
Module d'alimentation IGBT
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Gate-to-Source Voltage:
±30 V
Pulsed Drain Current:
180 A
Repetitive Peak Current:
87 A
Power Dissipation:
310 W
Linear Derating Factor:
2.0 W/°C
Soldering Temperature for 10 seconds:
300 °C
Point culminant:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introduction
Array
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Connectez la prise de prise Ethernet RJ45 originale J00-0065NL pour carte PBC
1 Port RJ45Through Hole 10/100 Base-TX, AutoMDIX
6EP3331-6SB00-0AY0 24V 1.3A a stabilisé le bâti de rail de vacarme d'alimentation d'énergie
Transistor MOSFET IGBT 300W d'IMMERSION d'IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM TO-247 40A 600V
IGBT PT 600 V 75 A 300 W Through Hole TO-247AD
Modem de données du paquet flexible de Chip Low Power GMSK du circuit intégré CMX909BD5
38.4k Modem 24-SSOP
UPS161 Signal de synchronisation contrôlant les circuits imprimés CMOS LSI
GT SERIES 3000VA 120V RACKMOUNT
| Image | partie # | Description | |
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Connectez la prise de prise Ethernet RJ45 originale J00-0065NL pour carte PBC |
1 Port RJ45Through Hole 10/100 Base-TX, AutoMDIX
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6EP3331-6SB00-0AY0 24V 1.3A a stabilisé le bâti de rail de vacarme d'alimentation d'énergie |
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IGBT PT 600 V 75 A 300 W Through Hole TO-247AD
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Modem de données du paquet flexible de Chip Low Power GMSK du circuit intégré CMX909BD5 |
38.4k Modem 24-SSOP
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UPS161 Signal de synchronisation contrôlant les circuits imprimés CMOS LSI |
GT SERIES 3000VA 120V RACKMOUNT
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Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
10pcs