Transistor MOSFET IGBT 300W d'IMMERSION d'IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM TO-247 40A 600V
Caractéristiques
PN:
IXGH40N60C2D1
Marque:
IXYS
Original:
LES Etats-Unis
paquet:
IMMERSION TO-247
Actuel:
40A
Tension:
600V
Puissance:
300W
Type:
Transistor MOSFET IGBT HiPer FASTTM IGBT avec la diode
Point culminant:
300W DIP Mosfet IGBT
,40A 600V DIP Mosfet IGBT
,HiPer FASTTM IGBT Diode
Introduction
Le système de régulation est basé sur les normes de sécurité de l'Union.DIP à 247Des IGBT HiPer FASTTM avec diodeLe moteur IGBT de Mosfet
Les IGBT à grande vitesse de la classe C2
Caractéristiques
- IGBT à très haute fréquence
- RBSOA carré
- Capacité de traitement de courant élevé
Applications
- Équipement de traitement de l'électricité
- Écran de commutation et de résonance
- Contrôle de vitesse du moteur à courant alternatif
- Servo et robot à courant continu
- Helicoptères à courant continu
Les avantages
- Densité de puissance élevée
- Vitesses de commutation très rapides pour les applications à haute fréquence
- Packages à haute puissance montés à la surface
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38.4k Modem 24-SSOP
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GT SERIES 3000VA 120V RACKMOUNT
Image | partie # | Description | |
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Connectez la prise de prise Ethernet RJ45 originale J00-0065NL pour carte PBC |
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Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
10pcs